[發(fā)明專利]一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底及其制備方法

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• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107188541A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪洋;李訓(xùn)紅;汪雪婷
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇時瑞電子科技有限公司
• 主分類號: C04B35/04
• 分類號: C04B35/04;C04B35/10;C04B35/622;C04B35/632;C04B35/634
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底，其特征在于，包括以下按重量份數(shù)計的組分：三氧化二鋁59-80份，二氧化硅12-33份，氧化鎂33-99份，氧化鉻1-9份，氧化鋅1-22份，聚乙酰胺基酚23-49份，對苯二醇10-24份，N，N-對氨基磺酸鈉1-8份，氧化鈷1-8份，氧化鈉33-49份，納米碳2-42份，納米鎳22-43份，丁腈橡膠33-55份，無水乙醇80-94份，丙酮14-29份。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底，其特征在于，包括以下按重量份數(shù)計的組分：三氧化二鋁72份，二氧化硅30份，氧化鎂58份，氧化鉻4份，氧化鋅12份，聚乙酰胺基酚32份，對苯二醇18份，N，N-對氨基磺酸鈉4份，氧化鈷6份，氧化鈉42份，納米碳31份，納米鎳34份，丁腈橡膠42份，無水乙醇88份，丙酮21份。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底，其特征在于，所述納米碳的目數(shù)為200-400目。

4.基于權(quán)利要求1所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1，稱取各組分；步驟2，將三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、氧化鉻、氧化鋅、氧化鈷、氧化鈉、納米碳、納米鎳浸泡在無水乙醇和對苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至200-400目得第一混合粉；步驟3，將聚乙酰胺基酚、N，N-對氨基磺酸鈉和丙酮投入反應(yīng)釜中，惰性氣體下加熱融化得第二混合物；步驟4，將第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量為2-5cm³/min，每隔2-5min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡膠，調(diào)節(jié)粘度值1800-2200Pa·s得半成品；步驟5，將半成品燒結(jié)得陶瓷基底。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底的制備方法，其特征在于，步驟2中真空度為0.1-0.25Mpa。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底的制備方法，其特征在于，步驟3中加熱融化溫度為680-810℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底的制備方法，其特征在于，步驟4中每次增加的加入量為0.2-0.5cm³/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于半導(dǎo)體傳感器的陶瓷基底的制備方法，其特征在于，步驟5中燒結(jié)溫度為800-830℃。