[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201710362880.0
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107425833A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 中原明宏;田中誠
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082;H03K17/687;H03K17/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 韓峰,孫志湧

1.一種半導體裝置，包括：

被供應第一電源的第一電源端子；

被供應第二電源的第二電源端子；

輸出電壓檢測端子，所述輸出電壓檢測端子被連接到負載電路的另一端，所述負載電路的一端被連接到所述第一電源端子；

柵極線，所述柵極線被連接到在所述負載電路的所述另一端和所述第二電源端子之間所連接的輸出晶體管的柵極；

驅動電路，其控制所述輸出晶體管；以及

過壓保護電路，所述過壓保護電路基于在所述第二電源端子和所述輸出電壓檢測端子之間的電壓差來控制所述輸出晶體管，

其中，

所述過壓保護電路包括：

第一電流源，所述第一電流源生成具有與在所述第一電源和所述第二電源之間的電壓差成比例的值的基準電流，

第二電流源，所述第二電流源基于在所述第二電源端子和所述輸出電壓檢測端子之間的電壓差來生成比較電流，以及

過壓保護晶體管，所述過壓保護晶體管向所述柵極線供應過壓保護電流，所述過壓保護電流具有取決于在所述基準電流和所述比較電流之間的電流差的值。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在所述輸出電壓檢測端子和所述第二電源端子之間的電壓差與所述第一電源的電壓相同的狀態下，將所述基準電流設定為所述比較電流的大約兩倍。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一電流源包括：

基準電流設定電阻器，所述基準電流設定電阻器的一端被連接到所述第二電源端子，

第一晶體管，所述第一晶體管的漏極被連接到所述基準電流設定電阻器的另一端，所述第一晶體管的源極被連接到所述第一電源端子，并且所述第一晶體管的柵極和漏極被彼此連接，以及

第二晶體管，所述第二晶體管的源極被連接到所述第一電源端子，所述第二晶體管的漏極被連接到所述過壓保護晶體管的柵極，并且所述第二晶體管的柵極與所述第一晶體管的柵極被共同連接，

所述第二電流源包括：

比較電流設定電阻器，所述比較電流設定電阻器的一端被連接到所述輸出電壓檢測端子，

第三晶體管，所述第三晶體管的漏極被連接到所述比較電流設定電阻器的另一端，所述第三晶體管的源極被連接到所述第二電源端子，并且所述第三晶體管的柵極和漏極被彼此連接，以及

第四晶體管，所述第四晶體管的源極被連接到所述第二電源端子，所述第四晶體管的漏極被連接到所述過壓保護晶體管的柵極，并且所述第四晶體管的柵極與所述第三晶體管的柵極被共同連接，并且

所述過壓保護晶體管具有被連接到所述柵極線的漏極以及被連接到所述第一電源端子的源極。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，包括：

二極管，所述二極管具有被連接到所述比較電流設定電阻器的所述另一端的陽極以及被連接到所述第三晶體管的漏極的陰極。