[發明專利]數據儲存裝置以及數據錯誤管理方法

有效

• 申請號: 201710362875.X
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108958961B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 陽學仕
• 申請（專利權）人: 上海寶存信息科技有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

本發明提出一種高可靠度數據儲存裝置，其中非易失性存儲器的儲存空間包括多個第一階單元，且該多個第一階單元更分組為多個第二階單元?？刂茊卧沟谝浑A單元各自編有檢正校驗碼，并在讀取一指定的第一階單元時，根據該指定的第一階單元的檢正校驗碼判斷該指定的第一階單元的檢正校驗碼的數據狀況，據以自我檢測含括該指定的第一階單元的一指定的第二階單元的其他空間。

技術領域

本發明是有關于數據儲存裝置。

背景技術

數據儲存裝置所采用的非易失性存儲器可以是快閃存儲器(flash memory)、磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive RAM)、鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric RAM)、電阻式存儲器(Resistive RAM，RRAM)、自旋轉移力矩隨機存取存儲器(Spin TransferTorque-RAM，簡稱STT-RAM)…等，用于長時間數據保存。如何確保非易失性存儲器儲存內容的可靠度為本技術領域一項重要課題。

發明內容

根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置包括一非易失性存儲器以及一控制單元。該非易失性存儲器提供劃分為多個第一階單元的儲存空間，且這些第一階單元更分組為多個第二階單元，使一個上述第二階單元包括多個上述第一階單元。該控制單元使這些第一階單元分別編有檢正校驗碼，并在讀取一指定的第一階單元時，根據該指定的第一階單元的檢正校驗碼判斷該指定的第一階單元的數據狀況，據以自我檢測該非易失性存儲器的其他數據。該指定的第一階單元屬于這些第二階單元中一指定的第二階單元。基于該指定的第一階單元的檢正校驗碼辨別出該指定的第一階單元的數據超過一第一臨界錯誤量時，該控制單元檢測另外N個第一階單元，N為數量。上述N個第一階單元屬于該指定的第二階單元。上述N個第一階單元中多于M個的數據超過一第二臨界錯誤量時，該控制單元標示該指定的第二階單元為損毀，M為數量。

根據本案一種實施方式所實現的一種數據錯誤管理方法，應用于一數據儲存裝置且包括：對一非易失性存儲器進行檢正校驗碼編碼，其中，該非易失性存儲器提供劃分為多個第一階單元的儲存空間，且這些第一階單元更分組為多個第二階單元，使一個上述第二階單元包括多個上述第一階單元；使這些第一階單元分別編有上述檢正校驗碼；且在讀取一指定的第一階單元時，根據該指定的第一階單元的檢正校驗碼判斷該指定的第一階單元的數據狀況，據以自我檢測該非易失性存儲器的其他數據。該指定的第一階單元屬于這些第二階單元中一指定的第二階單元?；谠撝付ǖ牡谝浑A單元的檢正校驗碼辨別出該指定的第一階單元的數據超過一第一臨界錯誤量時，其他N個第一階單元更受檢測，其中，N為數量。上述N個第一階單元屬于該指定的第二階單元。上述N個第一階單元中多于M個的數據超過一第二臨界錯誤量時，該指定的第二階單元標示為損毀，其中，M為數量。

本案另一種實施方式所提出的一數據儲存裝置包括一非易失性存儲器以及一控制單元。該非易失性存儲器包括多個物理區塊，每一這些物理區塊包括多個數據頁。該控制單元可對這些物理區塊的一目標區塊的這些數據頁的一目標頁執行一讀取要求以取得一目標數據。當該目標數據的一錯誤位數大于一預設值時，該控制單元主動地對該目標區塊的至少一其他數據頁執行該讀取要求以取得至少一其他數據。如果該至少一其他數據的至少一錯誤位也大于該預設值時，該控制單元主動地將該目標區塊所儲存的有效數據復制至另一這些物理區塊。

本案所揭露技術使得損壞的儲存空間得以在數據無法救回前被發現。

附圖說明

為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發明的具體實施方式作詳細說明，其中：

圖1以方塊圖圖解根據本案一種實施方式所實現的一數據儲存裝置100；

圖2圖解一物理頁的儲存空間規劃；

圖3為流程圖，根據本案第一種實施方式圖解快閃存儲器102的數據錯誤管理程序；

圖4為流程圖，根據本案第二種實施方式圖解快閃存儲器102的數據錯誤管理程序；