[發明專利]晶體管及半導體器件

有效

• 申請號: 201710362546.5
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107452799B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 李承勛;金東宇;徐東燦;金善政
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/775;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種晶體管，包括：

漏極；

源極；

柵電極；

所述源極和所述漏極之間的第一納米線；以及

柵間隔物，形成在所述柵電極的相反側壁上，

其中所述柵間隔物在其中包括孔，

所述第一納米線延伸穿過所述柵間隔物中的所述孔以接觸所述源極和所述漏極，

其中所述第一納米線具有有第一厚度的第一部分和有不同于所述第一厚度的第二厚度的第二部分，以及其中所述第二部分在所述第一部分與所述源極和所述漏極中的至少一個之間，當電壓被施加到所述柵電極時所述第一納米線包括溝道，

所述柵電極圍繞所述第一部分的外圍，

所述柵間隔物圍繞所述第二部分的外圍。

2.如權利要求1所述的晶體管，其中：

所述第一部分重疊所述柵電極，以及

所述第二部分不重疊所述柵電極。

3.如權利要求1所述的晶體管，其中：

所述第一部分不重疊所述柵間隔物，

所述第二部分重疊所述柵間隔物。

4.如權利要求3所述的晶體管，其中所述柵間隔物包括在所述孔的相反側上的外間隔物和內間隔物，

所述外間隔物與所述第一納米線的側表面接觸，所述內間隔物與所述第一納米線的下表面接觸。

5.如權利要求1所述的晶體管，其中：

所述第一部分具有第一表面，

所述第二部分具有第二表面，以及

所述第一表面和所述第二表面在所述第一納米線的同一側但在不同的平面中。

6.如權利要求1所述的晶體管，其中所述第一納米線的所述第一部分和所述第二部分被布置為基本上具有啞鈴形狀。

7.如權利要求1所述的晶體管，其中所述第一納米線具有在所述第一部分和所述第二部分之間的第三部分，以及其中所述第三部分的表面相對于所述第一部分和所述第二部分傾斜。

8.如權利要求1所述的晶體管，其中：

所述第一納米線包括至少一個凹窩，以及

所述至少一個凹窩在所述第一部分的表面和所述第二部分的表面之間。

9.如權利要求1所述的晶體管，其中所述第一部分具有圓化的表面。

10.如權利要求1所述的晶體管，還包括重疊所述源極、所述漏極和所述第一納米線中的至少一個的鰭形圖案。

11.如權利要求1所述的晶體管，還包括：

所述源極和所述漏極之間并且重疊所述第一納米線的第二納米線。

12.如權利要求11所述的晶體管，其中所述第二納米線具有與所述第一納米線不同的形狀。

13.如權利要求11所述的晶體管，其中所述第一納米線和所述第二納米線具有不同的剖面面積。

14.如權利要求1所述的晶體管，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。