[發明專利]陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法在審
申請號: | 201710362475.9 | 申請日: | 2017-05-19 |
公開(公告)號: | CN107195638A | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
發明(設計)人: | 胡小波 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示面板技術領域,尤其涉及一種陣列基板、一種顯示面板以及一種陣列基板的制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的發展,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(back light module)。液晶顯示面板由彩膜(Color Filter,CF)基板、薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板、夾于彩膜基板與陣列基板之間的液晶(Liquid Crystal,LC)及密封膠框(Sealant)組成。其中,陣列基板的薄膜晶體管性能直接影響到液晶顯示面板的顯示質量。
采用銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)半導體的薄膜晶體管由于其具有較高的遷移率,從而可以降低液晶顯示面板的功耗和成本,同時分辨率可以達到全高清(full HD)乃至超高清(Ultra Definition,分辨率4k*2k)級別程度,因此受到了廣泛的重視和應用。然而,由于銦鎵鋅氧化物半導體對大部分酸性刻蝕液都比較敏感,很容易在濕法刻蝕過程中被腐蝕,從而導致器件性能不佳。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種器件性能良好的陣列基板。
此外,還提供一種應用所述陣列基板的顯示面板。
另外,還提供一種陣列基板的制作方法。
為了實現上述目的,本發明實施方式采用如下技術方案:
一方面,提供一種陣列基板,包括:
基板;
柵極,形成在所述基板上;
柵極絕緣層,形成在所述基板的朝向所述柵極的一側,所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極;
有源層,形成在所述柵極絕緣層的遠離所述柵極的一側,所述有源層采用銦鎵鋅錫氧化物材料;
歐姆接觸層,形成在所述有源層的遠離所述柵極絕緣層的一側,所述歐姆接觸層采用被導體化的銦鎵鋅氧化物材料且覆蓋所述有源層的兩端;以及
彼此間隔的源極和漏極,形成在所述歐姆接觸層的遠離所述有源層的一側,所述源極和所述漏極分別通過所述歐姆接觸層電連接至所述有源層的兩端。
其中,所述歐姆接觸層包括間隔設置的第一歐姆接觸塊和第二歐姆接觸塊,所述第一歐姆接觸塊覆蓋所述有源層的一端且連接所述源極,所述第二歐姆接觸塊覆蓋所述有源層的另一端且連接所述漏極。
其中,所述有源層的厚度大于等于400埃且小于等于1000埃,所述歐姆接觸層的厚度小于等于500埃。
其中,所述陣列基板還包括:
鈍化層,覆蓋所述源極、所述漏極以及所述有源層,所述鈍化層具有通孔,所述通孔用以暴露出部分所述漏極;和
像素電極,形成在所述鈍化層的遠離所述源極的一側,所述像素電極通過所述通孔連接至所述漏極。
另一方面,還提供一種顯示面板,包括前述陣列基板。
再另一方面,還提供一種陣列基板的制作方法,包括:
在基板上形成柵極;
在所述基板的朝向所述柵極的一側形成柵極絕緣層,所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極;
在所述柵極絕緣層的遠離所述柵極的一側依次沉積銦鎵鋅錫氧化物層和銦鎵鋅氧化物層;
通過導體化工藝處理所述銦鎵鋅氧化物層,以形成被導體化的銦鎵鋅氧化物層;
在所述被導體化的銦鎵鋅氧化物層的遠離所述銦鎵鋅錫氧化物層的一側沉積金屬層;
通過光罩制程去除部分所述金屬層、部分所述被導體化的銦鎵鋅氧化物層以及部分所述銦鎵鋅錫氧化物層,以形成有源層;
通過濕刻蝕工藝去除部分所述金屬層和部分所述被導體化的銦鎵鋅氧化物層,以形成歐姆接觸層以及彼此間隔的源極和漏極,所述歐姆接觸層覆蓋所述有源層的兩端,所述源極和所述漏極分別通過所述歐姆接觸層電連接至所述有源層的兩端。
其中,所述導體化工藝為等離子體處理方式、離子注入處理方式、紫外光照射處理方式或微波處理方式。
其中,所述濕刻蝕工藝的過刻量大于20%。
其中,所述光罩制程采用半色調掩膜版。
其中,所述陣列基板的制作方法還包括:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710362475.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種元明粉的制備設備
- 下一篇:一種元明粉的生產工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的