[發(fā)明專利]一種射頻同軸連接器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710362343.6
• 申請(qǐng)日: 2017-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN106998021B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇正愷電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01R24/44
• 分類號(hào): H01R24/44;H01R24/54;H01R13/40
• 代理公司: 常州市權(quán)航專利代理有限公司 32280
• 代理人: 黃晶晶

本發(fā)明涉及一種射頻同軸連接器，包括第一連接器、轉(zhuǎn)接連接器和第二連接器；所述轉(zhuǎn)接連接器設(shè)在第一連接器和第二連接器之間，且轉(zhuǎn)接連接器的兩端分別與第一連接器和第二連接器連接；所述轉(zhuǎn)接連接器包括外導(dǎo)體和內(nèi)導(dǎo)體，且內(nèi)導(dǎo)體設(shè)在外導(dǎo)體的內(nèi)腔中；其創(chuàng)新點(diǎn)在于：所述轉(zhuǎn)接連接器還包括第三絕緣介質(zhì)和第四絕緣介質(zhì)，所述外導(dǎo)體兩端端部的內(nèi)腔中均填充有第三絕緣介質(zhì)和第四絕緣介質(zhì)，且第三絕緣介質(zhì)和第四絕緣介質(zhì)位于內(nèi)導(dǎo)體兩端端部的外周；所述第四絕緣介質(zhì)位于第三絕緣介質(zhì)的外側(cè)；所述第四絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)ε₁大于第三絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)ε₂。本發(fā)明同時(shí)滿足較大軸向偏移量和圓周較大角度偏移量，具有優(yōu)良的射頻電氣性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種同軸連接器，具體涉及一種射頻同軸連接器。

背景技術(shù)

射頻同軸連接器是對(duì)用于射頻同軸饋線系統(tǒng)的連接器的通稱，該連接器供通信和電子設(shè)備及類似電子設(shè)備所配用射頻傳輸線中連接射頻同軸電纜?；蛲S與微帶，同軸與波導(dǎo)之間的連接。它的插頭部分常裝在電纜端頭，插座部分常安裝在設(shè)備固定單元上，也常用于兩根射頻電纜之間的連接，起到橋梁作用。

現(xiàn)有的射頻同軸連接器通常只能允許少量的徑向和軸向容差，對(duì)應(yīng)產(chǎn)生間隙時(shí)產(chǎn)生高阻抗會(huì)顯著降低電氣性能；同時(shí)，轉(zhuǎn)接連接器的連接器插孔沒有外壁保護(hù)；或者有外壁保護(hù)、但外壁不是緊貼合在插孔外壁要有彈性件彈性的保護(hù)，使得圓周較大角度偏移量時(shí)存在盲插時(shí)候的嚙合不充分、接觸不可靠的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是：提供一種同時(shí)滿足較大軸向偏移量和圓周較大角度偏移量，并且具有優(yōu)良的射頻電氣性能的射頻同軸連接器。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種射頻同軸連接器，包括第一連接器、轉(zhuǎn)接連接器和第二連接器；

所述轉(zhuǎn)接連接器設(shè)在第一連接器和第二連接器之間，且轉(zhuǎn)接連接器的兩端分別與第一連接器和第二連接器插接連接；

所述第一連接器包括第一外導(dǎo)體和第一內(nèi)導(dǎo)體，且第一內(nèi)導(dǎo)體設(shè)在第一外導(dǎo)體的內(nèi)腔中；

所述第二連接器包括第二外導(dǎo)體和第二內(nèi)導(dǎo)體，且第二內(nèi)導(dǎo)體設(shè)在第二外導(dǎo)體的內(nèi)腔中；

所述轉(zhuǎn)接連接器包括外導(dǎo)體和內(nèi)導(dǎo)體，且內(nèi)導(dǎo)體設(shè)在外導(dǎo)體的內(nèi)腔中，所述外導(dǎo)體的兩端分別插入第一外導(dǎo)體和第二外導(dǎo)體的內(nèi)腔中，所述內(nèi)導(dǎo)體的兩端分別與第一內(nèi)導(dǎo)體和第二內(nèi)導(dǎo)體插接連接；

所述第一內(nèi)導(dǎo)體、內(nèi)導(dǎo)體和第二內(nèi)導(dǎo)體具有同軸線；

其創(chuàng)新點(diǎn)在于：所述轉(zhuǎn)接連接器還包括第三絕緣介質(zhì)和第四絕緣介質(zhì)，所述外導(dǎo)體兩端端部的內(nèi)腔中均填充有第三絕緣介質(zhì)和第四絕緣介質(zhì)，且第三絕緣介質(zhì)和第四絕緣介質(zhì)位于內(nèi)導(dǎo)體兩端端部的外周；

所述第四絕緣介質(zhì)位于第三絕緣介質(zhì)的外側(cè)；

所述第四絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)ε₁大于第三絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)ε₂。

在上述技術(shù)方案中，所述第三絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)ε₂為1.8~2.2法/米；所述第四絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)ε₁為3~8法/米。

在上述技術(shù)方案中，所述第一連接器還包括第一絕緣介質(zhì)，且所述第一絕緣介質(zhì)填充在第一外導(dǎo)體一端端部的內(nèi)腔中并位于第一內(nèi)導(dǎo)體的外周；所述第二連接器還包括第二絕緣介質(zhì)，且所述第二絕緣介質(zhì)填充在第二外導(dǎo)體一端端部的內(nèi)腔中并位于第二內(nèi)導(dǎo)體的外周。

在上述技術(shù)方案中，所述第一絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)與第二絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)相等。

在上述技術(shù)方案中，所述第一絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)與第二絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)均為1.7~2.5法/米。