[發明專利]半導體物理量傳感器裝置有效
| 申請號： | 201710361536.X | 申請日： | 2017-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN107526387B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 松并和宏;西川睦雄 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | G05F1/618 | 分類號： | G05F1/618 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉蘭;周爽 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 物理量 傳感器 裝置 | ||
1.一種半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，輸出與檢測到的物理量的大小對應的電壓的電信號，具有：
第一輸出元件；
第二輸出元件，其以互補的方式與所述第一輸出元件的高電位側連接；
第一開關元件，其在所述第一輸出元件與所述第二輸出元件之間與所述第一輸出元件的高電位側連接；
第二開關元件，其連接在所述第一開關元件與所述第二輸出元件之間；以及
輸出端子，其與所述第一開關元件和所述第二開關元件之間的連接點連接，并且將所述連接點的電位的所述電信號向外部輸出，
在所述輸出端子的電壓小于第一電壓時，所述第一開關元件截止，所述輸出端子的電壓被鉗位為所述第一電壓，并且所述第二開關元件導通，
在所述輸出端子的電壓為比所述第一電壓高的第二電壓以上時，所述第二開關元件截止，所述輸出端子的電壓被鉗位為所述第二電壓，并且所述第一開關元件導通，
在所述輸出端子的電壓為比所述第一電壓低的第三電壓以下時，所述第二開關元件截止，
在所述輸出端子的電壓高于比所述第二電壓高的第四電壓時，所述第一開關元件截止。
2.如權利要求1所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，
在所述輸出端子的電壓為所述第一電壓以上且為所述第四電壓以下時，所述第一開關元件導通。
3.如權利要求1所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，
在所述輸出端子的電壓比所述第三電壓高、且比所述第二電壓低時，所述第二開關元件導通。
4.如權利要求2所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，
在所述輸出端子的電壓比所述第三電壓高、且比所述第二電壓低時，所述第二開關元件導通。
5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，
所述第一開關元件為n溝道型絕緣柵型電場效應晶體管，
所述第二開關元件為p溝道型絕緣柵型電場效應晶體管。
6.如權利要求1至4中任一項所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，
所述第一輸出元件為n溝道型絕緣柵型電場效應晶體管，
所述第二輸出元件為p溝道型絕緣柵型電場效應晶體管。
7.如權利要求5所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，
所述第一輸出元件為n溝道型絕緣柵型電場效應晶體管，
所述第二輸出元件為p溝道型絕緣柵型電場效應晶體管。
8.如權利要求1至4中任一項所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，還具有：
最高電位的第一端子，其與所述第二輸出元件的高電位側連接；
最低電位的第二端子，其與所述第一輸出元件的低電位側連接；
第一電阻，其連接在所述第一端子與所述第二端子之間；
第二電阻，其連接在所述第一端子與所述輸出端子之間；
第三電阻，其連接在所述輸出端子與所述第二端子之間。
9.如權利要求5所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，還具有：
最高電位的第一端子，其與所述第二輸出元件的高電位側連接；
最低電位的第二端子，其與所述第一輸出元件的低電位側連接；
第一電阻，其連接在所述第一端子與所述第二端子之間；
第二電阻，其連接在所述第一端子與所述輸出端子之間；
第三電阻，其連接在所述輸出端子與所述第二端子之間。
10.如權利要求6所述的半導體物理量傳感器裝置，其特征在于，還具有：
最高電位的第一端子，其與所述第二輸出元件的高電位側連接；
最低電位的第二端子，其與所述第一輸出元件的低電位側連接；
第一電阻，其連接在所述第一端子與所述第二端子之間；
第二電阻，其連接在所述第一端子與所述輸出端子之間；
第三電阻，其連接在所述輸出端子與所述第二端子之間。
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