[發明專利]波長轉換裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 201710358080.1
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN108954039B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 田梓峰;許顏正
• 申請（專利權）人: 深圳光峰科技股份有限公司
• 主分類號: F21K9/64
• 分類號: F21K9/64;F21K9/68;F21K9/90;F21V29/70;F21Y115/30
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 陳巍巍

1.一種波長轉換裝置，包括依次設置的發光層、反射層、連接層和導熱基板層，其特征在于，所述發光層為氧化鋁共晶發光層，所述氧化鋁共晶發光層為石榴石結構的(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺與氧化鋁形成的共晶發光層；所述反射層為純銀燒結而成的銀反射層。

2.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述石榴石結構的(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺與氧化鋁形成的共晶發光層中氧化鋁的摩爾比例大于40％。

3.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述發光層與所述反射層之間設置有氧化鋁膜層。

4.根據權利要求1或3所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述發光層的厚度為0.005-5mm；所述反射層的厚度為1-100um；所述連接層的厚度為0.005-0.5mm；所述導熱基板的厚度為0.1-5mm。

5.根據權利要求4所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述連接層的孔隙率小于50％。

6.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述連接層為焊錫膏或者預成型焊片回流焊接形成，所述焊錫膏為金錫，銀錫，鉍錫或鉛錫中的任意一種或多種的組合。

7.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述連接層為低溫燒結銀漿料燒結形成。

8.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述導熱基板為金屬基板或陶瓷基板，所述導熱基板上設置有鎳金保護層。

9.根據權利要求8所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述導熱基板為氮化鋁，碳化硅，氮化硅或氧化鋁中的任意一種或多種組合的陶瓷基板，所述陶瓷基板和所述鎳金保護層之間設置有鈦過渡層。

10.根據權利要求7所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述導熱基板為平板結構或帶鰭片結構。

11.一種波長轉換裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：提供Al₂O₃-(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺共晶發光材料，并對所述Al₂O₃-(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺共晶發光材料進行預處理形成共晶發光層；

步驟S2：在所述共晶發光層上涂覆銀粉和有機體的混合漿料后燒結形成純銀的反射層；

步驟S3：提供鍍鎳金的導熱基板，將步驟S2形成的反射層設置在鍍鎳金的導熱基板上，經處理形成連接層。

12.根據權利要求11所述的波長轉換裝置的制備方法，其特征在于，步驟S1的預處理包括將Al₂O₃-(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺共晶發光材料雙面研磨拋光，一面鍍增透膜或者表面粗化。

13.根據權利要求11所述的波長轉換裝置的制備方法，其特征在于，步驟S2中采用的銀粉的粒徑范圍是0.01-20um。