[發(fā)明專利]芯片封裝體和形成芯片封裝體的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710357010.4
• 申請(qǐng)日: 2017-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN107403763B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·鮑爾;R·恩格爾;M·許廷格;W·卡納特;H·克爾納;J·馬勒;B·呂勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

1.一種芯片封裝體，包括：

包括芯片金屬表面的芯片；

與所述芯片金屬表面電接觸的金屬接觸結(jié)構(gòu)；以及

包括與所述芯片金屬表面物理接觸和/或與所述金屬接觸結(jié)構(gòu)物理接觸的接觸層的封裝材料；

其中，至少在所述封裝材料的接觸層中，化學(xué)活性的硫、化學(xué)活性的硒和化學(xué)活性的碲的總濃度小于百萬(wàn)分之10個(gè)原子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝體，

其中，在整個(gè)封裝材料中，化學(xué)活性的硫、化學(xué)活性的硒和化學(xué)活性的碲的總濃度小于百萬(wàn)分之10個(gè)原子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片封裝體，

其中，至少所述接觸層包括包含硫、硒和/或碲的穩(wěn)定化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體，

其中，所述穩(wěn)定化合物是封裝材料的組分與硫、硒和/或碲的反應(yīng)產(chǎn)物。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體，

其中，所述穩(wěn)定化合物包含低聚物或聚合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體，

其中，所述封裝材料的組分包括馬來(lái)酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺、氨基酸的衍生物和/或原硅酸四乙酯。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體，

其中，所述封裝材料的組分包括以下材料或由以下材料組成：填充材料，著色材料，催化劑，增韌劑，蠟，粘附促進(jìn)劑或封裝材料的穩(wěn)定劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝體，

其中，所述穩(wěn)定劑是UV穩(wěn)定劑、氧化穩(wěn)定劑或溫度分解穩(wěn)定劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體，

其中，所述穩(wěn)定化合物包括第一官能團(tuán)和包含硫、硒和/或碲的第二官能團(tuán)，

其中，與所述第二官能團(tuán)相比，第一官能團(tuán)具有更高的吸附力來(lái)實(shí)現(xiàn)與所述芯片金屬表面和/或與所述金屬接觸結(jié)構(gòu)的結(jié)合。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片封裝體，

其中，所述第一官能團(tuán)包括氨基、唑類、硅烷醇或羧基官能團(tuán)中的一種。

11.一種形成芯片封裝體的方法，包括：

將金屬接觸結(jié)構(gòu)電接觸到芯片的芯片金屬表面；以及

用封裝材料至少部分地包封所述芯片和所述金屬接觸結(jié)構(gòu)，從而形成封裝材料的接觸層，所述接觸層與芯片和/或與金屬接觸結(jié)構(gòu)物理接觸，

其中，在所述接觸層中，化學(xué)活性的硫、化學(xué)活性的硒和化學(xué)活性的碲的總濃度小于百萬(wàn)分之10個(gè)原子。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

將一組分添加到封裝材料，所述組分與硫、硒和/或碲反應(yīng)以形成包含硫、硒和/或碲的穩(wěn)定化合物。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，

其中，在用封裝材料至少部分地包封所述芯片和所述金屬接觸結(jié)構(gòu)之后，執(zhí)行將所述組分添加到所述封裝材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：

將所述封裝材料的pH值調(diào)節(jié)至3-6的范圍內(nèi)或7-10的范圍內(nèi)。