[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710356808.7 | 申請日: | 2017-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN107452750B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊圣永;宋鎮(zhèn)一;崔溶敏 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括:設(shè)置在第一基板上的遮光層;設(shè)置在所述遮光層上的緩沖層;設(shè)置在所述緩沖層上的半導(dǎo)體層;設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的第一絕緣層;設(shè)置在所述第一絕緣層上的柵極金屬層;設(shè)置在所述柵極金屬層上的第二絕緣層,所述第二絕緣層具有接觸孔并暴露所述柵極金屬層的一部分;和設(shè)置在所述第二絕緣層上的源極漏極金屬層,所述源極漏極金屬層通過所述接觸孔與所述柵極金屬層接觸,其中所述半導(dǎo)體層包括輔助接觸孔,所述輔助接觸孔位于與所述接觸孔對應(yīng)的區(qū)域中。
本申請要求于2016年5月31日提交的韓國專利申請No.10-2016-0067780的權(quán)益,為了所有目的在此援引該專利申請作為參考,如同在這里完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著信息技術(shù)的發(fā)展,對于顯示圖像的顯示裝置的需求逐漸增加。顯示裝置已顯著變?yōu)椋喝〈蟮年帢O射線管(CRT),目前廣泛采用具有大屏幕的輕薄顯示裝置。
這些顯示裝置包括液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)和電泳顯示裝置(ED)。
LCD、OLED和ED的每一個(gè)包括薄膜晶體管(TFT)基板,TFT基板具有以矩陣形式布置子像素的區(qū)域。形成在TFT基板中的TFT是通過沉積多個(gè)金屬層和多個(gè)絕緣層的工藝形成的。TFT基板實(shí)現(xiàn)為顯示面板。
顯示裝置包括顯示面板和配置成驅(qū)動(dòng)顯示面板的驅(qū)動(dòng)單元。驅(qū)動(dòng)單元包括:配置成給顯示面板提供掃描信號(或柵極信號)的掃描驅(qū)動(dòng)器、以及配置成給顯示面板提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。當(dāng)掃描信號和數(shù)據(jù)信號提供至子像素時(shí),顯示裝置通過選擇的子像素發(fā)光,由此能夠顯示圖像。
近來,顯示面板由大屏幕和高分辨率實(shí)現(xiàn)。因此,甚至形成在顯示面板的薄膜晶體管基板上的金屬層和絕緣層的數(shù)量逐漸增加。此外,這增加了薄膜晶體管基板的布局的復(fù)雜性以及在位于不同層上的金屬層之間發(fā)生不期望的短路缺陷的可能性,短路缺陷是由于異物對層的過蝕刻和撕裂(tearing)而導(dǎo)致的。因而,需要解決這些問題。
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)大體方面中,提供了一種顯示裝置,包括:設(shè)置在第一基板上的遮光層;設(shè)置在所述遮光層上的緩沖層;設(shè)置在所述緩沖層上的半導(dǎo)體層;設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的第一絕緣層;設(shè)置在所述第一絕緣層上的柵極金屬層;設(shè)置在所述柵極金屬層上的第二絕緣層,所述第二絕緣層具有接觸孔并暴露所述柵極金屬層的一部分;和設(shè)置在所述第二絕緣層上的源極漏極金屬層,所述源極漏極金屬層通過所述接觸孔與所述柵極金屬層接觸,其中所述半導(dǎo)體層包括輔助接觸孔,所述輔助接觸孔位于與所述接觸孔對應(yīng)的區(qū)域中。
在另一個(gè)大體方面中,提供了一種顯示裝置,包括:設(shè)置在第一基板上的遮光層;設(shè)置在所述遮光層上的緩沖層;設(shè)置在所述緩沖層上的半導(dǎo)體層;設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的第一絕緣層;設(shè)置在所述第一絕緣層上的柵極金屬層;設(shè)置在所述柵極金屬層上的第二絕緣層,所述第二絕緣層具有接觸孔并暴露所述半導(dǎo)體層的一部分;和設(shè)置在所述第二絕緣層上的源極漏極金屬層,所述源極漏極金屬層通過所述接觸孔與所述半導(dǎo)體層接觸,其中所述遮光層包括輔助接觸孔,所述輔助接觸孔位于與所述接觸孔對應(yīng)的區(qū)域中。
在又一個(gè)大體方面中,提供了一種顯示裝置,包括:多個(gè)子像素,每個(gè)子像素都設(shè)置在第一基板上并且具有發(fā)光區(qū)域和電路區(qū)域,其中所述子像素包括:接觸孔,所述接觸孔形成在所述電路區(qū)域中并且暴露下部層的一部分,以助于在信號線與電源線之間的電連接;和輔助接觸孔,所述輔助接觸孔設(shè)置在所述接觸孔下方并且位于與所述接觸孔對應(yīng)的區(qū)域中。
附圖說明
被包括來給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并結(jié)合在本申請中組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式,并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性框圖。
圖2是子像素的示意性電路圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





