[發明專利]一種不間斷式進片回片裝置及控制方法有效
| 申請號: | 201710356787.9 | 申請日: | 2017-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN108962804B | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發明(設計)人: | 彭博;洪旭東 | 申請(專利權)人: | 沈陽芯源微電子設備股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 李巨智 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 不間斷 式進片回片 裝置 控制 方法 | ||
1.一種不間斷式進片回片裝置,其特征在于:在底部設置LOAD PORT,所述LOAD PORT包括四個,從左向右依次為第一LOAD PORT、第二LOAD PORT、第三LOAD PORT和第四LOADPORT;
在所述第一LOAD PORT和第四LOAD PORT的對應上方分別設置第一緩存區和第二緩存區,用于臨時存放FOUP緩存;在所述第一緩存區和第二緩存區的對應上方分別設置出片區和進片區,用于天車取放FOUP;
還包括傳送機構,用于在LOAD PORT、緩存區、進片區、出片區之間傳遞FOUP,設置于與LOAD PORT和緩存區所在平面不同且平行的平面內,使傳送機構與LOAD PORT、緩存區、進片區、出片區互不影響;
所述第一緩存區接收第二LOAD PORT的FOUP;所述第二緩存區接收第三LOAD PORT的FOUP;
所述第二LOAD PORT和第三LOAD PORT只向勻膠顯影機傳遞晶圓。
2.根據權利要求1所述的不間斷式進片回片裝置,其特征在于:所述傳送機構的X軸負責調整FOUP橫坐標,Z軸負責調整FOUP縱坐標,R軸進行FOUP抓取,運動順序為Z軸與X軸同時運動,R軸最后抓取FOUP。
3.根據權利要求1所述的不間斷式進片回片裝置,其特征在于:所述第一LOAD PORT和第四LOAD PORT既向勻膠顯影機傳遞晶圓,又接收勻膠顯影機送回的晶圓。
4.一種權利要求1~3任一項所述裝置的控制方法,其特征在于,包括以下過程:
步驟1:將第一LOAD PORT、第二LOAD PORT、第三LOAD PORT、第四LOAD PORT和進片區的FOUP裝滿,依次將第一LOAD PORT、第四LOAD PORT、第二LOAD PORT和第三LOAD PORT中的FOUP里的晶圓送入勻膠顯影機;
步驟2:當第二LOAD PORT中FOUP中的晶圓為空時,判斷如果當前第一緩存區為空,則將第二LOAD PORT中的FOUP送入第一緩存區,將進片區中的FOUP傳遞到第二LOAD PORT,并由天車將進片區的FOUP填滿;否則繼續等待,直至第一緩存區中為空;
步驟3:當第三LOAD PORT中FOUP中的晶圓為空時,判斷如果當前第二緩存區為空,則將第三LOAD PORT中的FOUP送入第二緩存區,將進片區中的FOUP傳遞到第三LOAD PORT,并由天車將進片區的FOUP填滿;否則繼續等待,直至第二緩存區中為空;
步驟4:當第一LOAD PORT中的FOUP里的晶圓回滿,則將該FOUP送入出片區后,由天車取走;將第一緩存區中的FOUP傳遞到第一LOAD PORT中;判斷如果第二LOAD PORT中的FOUP中的晶圓為空,則將該FOUP傳遞到第一緩存區,否則等待第二LOAD PORT中的FOUP中的晶圓為空;
步驟5:當第四LOAD PORT中的FOUP里的晶圓回滿,則將該FOUP送入出片區后,由天車取走;將第二緩存區中的FOUP傳遞到第四LOAD PORT中;判斷如果第三LOAD PORT中的FOUP中的晶圓為空,則將該FOUP傳遞到第二緩存區,否則等待第三LOAD PORT中的FOUP中的晶圓為空。
5.根據權利要求4所述的控制方法,其特征在于:所述勻膠顯影機根據晶圓來源將工藝完成后的晶圓回傳至第一LOAD PORT和第四LOAD PORT。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于沈陽芯源微電子設備股份有限公司,未經沈陽芯源微電子設備股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710356787.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶粒移轉裝置
- 下一篇:傳片監測系統及傳片監測方法、半導體加工設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





