[發明專利]雜散電感低的功率模塊

有效

• 申請號: 201710356727.7
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107424986B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: D.科特;F.特勞布
• 申請（專利權）人: ABB瑞士股份有限公司;奧迪股份公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 楊忠;李強

1.一種提供半橋(32)的功率模塊(10)，

其中，所述功率模塊(10)包括至少一個襯底(12)和內部金屬化區域(16)、兩個中間金屬化區域(18)和兩個外部金屬化區域(20)，它們各自沿所述至少一個襯底(12)的縱向方向(L)延伸；

其中，所述兩個中間金屬化區域(18)相對于所述至少一個襯底(12)的橫向方向(C)布置在所述內部金屬化區域(16)的旁邊，并且各個外部金屬化區域(20)相對于所述橫向方向(C)布置在所述兩個中間金屬化區域(18)中的一個的旁邊；其中，所述功率模塊(10)包括兩個內組(22)半導體開關(24)，各個內組(22)半導體開關(24)結合到相應的中間金屬化區域(18)上，并且電連接到所述內部金屬化區域(16)上，使得所述內組(22)半導體開關(24)形成所述半橋(32)的第一臂(34)；

其中，所述功率模塊(10)包括兩個外組(28)半導體開關(24)，各個外組(28)半導體開關(24)結合到相應的外部金屬化區域(20)上，并且電連接到相應的中間金屬化區域(18)上，使得所述外組(28)半導體開關(24)形成所述半橋(32)的第二臂(36)。

2.根據權利要求1所述的功率模塊(10)，其特征在于，各個內組(22)半導體開關(24)和/或各個外組(28)半導體開關(24)布置成沿所述縱向方向(L)延伸的排。

3.根據權利要求1所述的功率模塊(10)，其特征在于，所述功率模塊(10)包括沿所述縱向方向(L)并排布置的至少兩個襯底(12)，以及其中，所述內部金屬化區域(16)、所述中間金屬化區域(18)和所述外部金屬化區域(20)沿所述縱向方向(L)分布在所述至少兩個襯底(12)上面。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的功率模塊(10)，其特征在于，所述功率模塊(10)包括沿所述橫向方向(C)并排布置的至少兩個襯底(12)，以及其中，所述內部金屬化區域(16)沿所述橫向方向(C)分布在所述至少兩個襯底(12)上面。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的功率模塊(10)，其特征在于，所述兩個外部金屬化區域(20)、所述兩個外組(28)半導體開關(24)、所述兩個中間金屬化區域(18)和所述兩個內組(22)半導體開關(24)的布置關于所述內部金屬化區域(16)的對稱軸線(A)鏡面對稱。

6.根據權利要求1至3中的任一項所述的功率模塊(10)，其特征在于，在所述襯底(12)的交流側(40)上，所述中間金屬化區域(18)與沿所述橫向方向(C)延伸的交流接觸區域(30)電互連；和/或

其中，所述中間金屬化區域(18)和所述交流接觸區域(30)是一體式金屬化區域。

7.根據權利要求1至3中的任一項所述的功率模塊(10)，其特征在于，在所述功率模塊(10)的直流側(38)上，所述內部金屬化區域(16)提供內部直流接觸區域(42)，所述內部直流接觸區域(42)沿所述橫向方向(C)在所述中間金屬化區域(18)上面延伸，使得形成所述內部金屬化區域(16)的T形端部。

8.根據權利要求1至3中的任一項所述的功率模塊(10)，其特征在于，在所述功率模塊(10)的直流側(38)上，各個外部金屬化區域(20)提供外部直流接觸區域(44)，所述外部直流接觸區域(44)沿所述橫向方向(C)在中間金屬化區域(18)上面延伸，使得形成所述外部金屬化區域(20)的T形端部。

9.根據權利要求8所述的功率模塊(10)，其特征在于，所述外部直流接觸區域(44)在所述功率模塊(10)的直流側(38)上與在所述內部金屬化區域(16)上面延伸的電導體電互連。