[發(fā)明專利]解決Nand閃存的數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法及其系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710356561.9
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107103935A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫成思;孫日欣;李振華;賴永富
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州佰維存儲科技有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所44275
• 代理人: 張明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種解決Nand閃存的數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法及其系統(tǒng)。

背景技術(shù)

TLC(Triple-Level Cell)閃存為目前市面上應(yīng)用較為普遍的一種Nand閃存，TLC利用不同電位的電荷，一個浮動?xùn)糯鎯?個字節(jié)的信息，約500-1000次擦寫壽命。隨著時間的延長，TLC閃存會出現(xiàn)數(shù)據(jù)保持(Data Retention)發(fā)生錯誤的現(xiàn)象。數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤主要是由兩種原因造成的：一是柵氧化層的經(jīng)時擊穿導(dǎo)致低場漏電電流變得越來越大，漏電電流變大又導(dǎo)致單元保存閾值電壓轉(zhuǎn)移能力變?nèi)酰瑥亩a(chǎn)生數(shù)據(jù)保持出錯；二是擦除和寫入操作也會導(dǎo)致氧化層收集電荷，會影響單元的閾值電壓，當(dāng)電荷脫阱時，閾值漂移，bit發(fā)生翻轉(zhuǎn)。

ECC(Error Correcting Code，錯誤修正碼)是將信息進(jìn)行8比特位的編碼，采用這種方式可以恢復(fù)1比特位的錯誤，ECC可以從邏輯上分離錯誤并且將錯誤更正，使系統(tǒng)得以持續(xù)正常地操作。但當(dāng)閃存中的塊發(fā)生錯誤的比特位較多時，此時ECC不能對塊的錯誤進(jìn)行更正。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種有效的解決Nand閃存的數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法及其系統(tǒng)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種解決Nand閃存的數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法，包括：

當(dāng)Nand閃存處于開機(jī)或者待機(jī)狀態(tài)時，間隔預(yù)設(shè)時間依次對Nand閃存中的一塊進(jìn)行讀取操作；

根據(jù)所述讀取操作判斷所述一塊中需要利用錯誤修正碼進(jìn)行修正的比特位是否大于預(yù)設(shè)值；

若是，則將所述一塊的數(shù)據(jù)存放至Nand閃存的一自由塊中。

本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

一種解決Nand閃存的數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的系統(tǒng)，包括：

讀取模塊，用于當(dāng)閃存處于開機(jī)或者待機(jī)狀態(tài)時，間隔預(yù)設(shè)時間依次對Nand閃存中的一塊進(jìn)行讀取操作；

判斷模塊，用于根據(jù)所述讀取操作判斷所述一塊中需要利用錯誤修正碼進(jìn)行修正的比特位是否大于預(yù)設(shè)值；

存放模塊，用于若是，則將所述一塊的數(shù)據(jù)存放至Nand閃存的一自由塊中。

本發(fā)明的有益效果在于：當(dāng)Nand閃存處于待機(jī)或者開機(jī)狀態(tài)時，間隔預(yù)設(shè)時間對閃存中的塊進(jìn)行讀取操作，并且根據(jù)讀取操作判斷發(fā)生錯誤的比特位是否超過預(yù)設(shè)值，如果是，則將對應(yīng)的塊中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移至Nand閃存的其他的自由塊中，這樣可以有效避免數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤，保證Nand閃存中的數(shù)據(jù)的完整性和正確性，并且本發(fā)明方案成本低，易于實(shí)現(xiàn)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的解決Nand閃存數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的解決Nand閃存數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明的解決Nand閃存數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的系統(tǒng)的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二的解決Nand閃存數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的系統(tǒng)的示意圖。

標(biāo)號說明：

1、讀取模塊；2、判斷模塊；3、存放模塊；4、擦除模塊；5、寫入模塊。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：將發(fā)生錯誤的比特位超過預(yù)設(shè)值的塊中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移至Nand閃存的其他的自由塊中，可以保證Nand閃存中的數(shù)據(jù)的完整性和正確性。

請參照圖1，一種解決Nand閃存的數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤的方法，包括：

當(dāng)Nand閃存處于開機(jī)或者待機(jī)狀態(tài)時，間隔預(yù)設(shè)時間依次對Nand閃存中的一塊進(jìn)行讀取操作；

根據(jù)所述讀取操作判斷所述一塊中需要利用錯誤修正碼進(jìn)行修正的比特位是否大于預(yù)設(shè)值；

若是，則將所述一塊的數(shù)據(jù)存放至Nand閃存的一自由塊中。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：當(dāng)Nand閃存處于待機(jī)或者開機(jī)狀態(tài)時，間隔預(yù)設(shè)時間對閃存中的塊進(jìn)行讀取操作，并且根據(jù)讀取操作判斷發(fā)生錯誤的比特位是否超過預(yù)設(shè)值，如果是，則將對應(yīng)的塊中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移至Nand閃存的其他的自由塊中，這樣可以有效避免數(shù)據(jù)保持發(fā)生錯誤，保證Nand閃存中的數(shù)據(jù)的完整性和正確性，并且本發(fā)明方案成本低，易于實(shí)現(xiàn)。預(yù)設(shè)值的大小可以根據(jù)需要具體進(jìn)行設(shè)置。

進(jìn)一步的，所述將所述一塊的數(shù)據(jù)存放至Nand閃存的一自由塊中之后還包括：

擦除所述一塊中的數(shù)據(jù)；

在擦除數(shù)據(jù)后的所述一塊中寫入數(shù)據(jù)。