[發(fā)明專利]一種非均勻柵長(zhǎng)GaNHEMT柵極結(jié)構(gòu)及器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710356537.5
• 申請(qǐng)日: 2017-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN107195673A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁俊;李百泉;倪煒江;張敬偉;李明山;牛喜平;孫安信
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L29/20;H01L29/778
• 代理公司: 北京中創(chuàng)陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11003
• 代理人: 張永革

1.一種GaN HEMT器件的柵極結(jié)構(gòu)，所述器件的柵極、源極和漏極采用叉指結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述叉指結(jié)構(gòu)中不同位置柵極的長(zhǎng)度不相等，通過柵極尺寸變化對(duì)2DEG電子氣密度的控制和調(diào)節(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流密度和熱分布的調(diào)控；使得整個(gè)器件有緣區(qū)域溫度盡量均衡分布。

2.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)中柵條從橫向邊緣到所述器件中心設(shè)置有長(zhǎng)度不同的柵條。

3.如權(quán)利要求2所述的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)中從橫向邊緣到所述器件中心設(shè)置有長(zhǎng)度從長(zhǎng)到短變化的柵條。

4.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)中沿柵極長(zhǎng)度方向從縱向邊緣到中心設(shè)置有不等長(zhǎng)的柵條。

5.如權(quán)利要求4所述的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)中沿柵極長(zhǎng)度方向從縱向邊緣到中心設(shè)置有長(zhǎng)度從長(zhǎng)到短變化的柵條。

6.一種GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件的柵極結(jié)構(gòu)采用如權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中任一項(xiàng)所述的柵極結(jié)構(gòu)。