[發明專利]器件過壓檢測器

在審

• 申請號: 201710356498.9
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107450002A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: A.卡萊蒂;A.皮杜蒂;G.施里特瑟
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 申屠偉進,杜荔南

1.一種半導體部件，包括：

器件；以及

包括電流路徑的過壓檢測結構，該電流路徑包括與熔斷器串聯連接的齊納二極管，其中：

該齊納二極管被配置成響應于該器件處的過壓狀況而傳導電流；

該熔斷器被配置成響應于該齊納二極管傳導電流而斷開該過壓檢測結構的電流路徑。

2.權利要求1所述的半導體部件，其中該熔斷器包括足以使該熔斷器由于正被該齊納二極管傳導的電流而燃燒的電阻。

3.權利要求2所述的半導體部件，其中為了實現足以使該熔斷器由于正被該齊納二極管傳導的電流而燃燒的電阻，該熔斷器包括特定材料、特定形狀或特定面積中的至少一個。

4.權利要求1所述的半導體部件，其中該熔斷器包括反射X射線光的材料。

5.權利要求1所述的半導體部件，其中該熔斷器燃燒改變特定材料、特定形狀或特定面積中的至少一個。

6.權利要求1所述的半導體部件，其中該熔斷器燃燒改變所述反射X射線光的材料的反射行為。

7.權利要求1所述的半導體部件，其中：

該過壓檢測結構的第一端子被耦合至該器件的漏極并且該過壓檢測結構的第二端子被耦合至該器件的源極；

該過壓檢測結構的第一端子被耦合至該器件的發射極并且該過壓檢測結構的第二端子被耦合至該器件的集電極；或者

該過壓檢測結構的第一端子被耦合至該器件的陽極并且該過壓檢測結構的第二端子被耦合至該器件的陰極。

8.權利要求7所述的半導體部件，其中：

該過壓檢測結構的第一端子被耦合至該齊納二極管并且該過壓檢測結構的第二端子被耦合至該熔斷器。

9.權利要求7所述的半導體部件，其中：

該過壓檢測結構的第一端子被耦合至該熔斷器并且該過壓檢測結構的第二端子被耦合至該齊納二極管。

10.一種半導體管芯，包括：

器件；以及

包括電流路徑的過壓檢測結構的至少一部分，該電流路徑包括與熔斷器串聯連接的齊納二極管，其中：

該齊納二極管被配置成響應于該器件處的過壓狀況而傳導電流；并且

該熔斷器被配置成響應于該齊納二極管傳導電流而斷開該過壓檢測結構的電流路徑。

11.權利要求10所述的半導體管芯，其中該半導體管芯包括該器件和該過壓檢測結構的齊納二極管。

12.權利要求11所述的半導體管芯，其中該半導體管芯進一步包括該過壓檢測結構的熔斷器。

13.權利要求11所述的半導體管芯，其中該半導體管芯不包括該過壓檢測結構的熔斷器。

14.權利要求13所述的半導體管芯，其中該過壓檢測結構的齊納二極管包括被配置成將該半導體管芯電氣耦合至該過壓檢測結構的熔斷器的端子。

15.一種方法，包括：

響應于器件處的過壓狀況，由過壓檢測結構的齊納二極管來使電流傳導通過由該過壓檢測結構的熔斷器和齊納二極管之間的串聯連接形成的電流路徑；以及

響應于使電流傳導通過電流路徑，由該過壓檢測結構的該熔斷器斷開電流路徑。

16.權利要求15所述的方法，進一步包括：

響應于該器件處沒有過壓狀況而制止由該齊納二極管使電流傳導通過電流路徑。

17.權利要求15所述的方法，其中該齊納二極管被形成在包括該器件的半導體管芯上。

18.權利要求17所述的方法，其中：

該熔斷器被形成在包括該器件的該半導體管芯上；或者

該熔斷器在包括該器件的該半導體管芯之外，并且該熔斷器包括將該齊納二極管的端子電氣耦合至該器件的端子的導線。

19.權利要求1所述的方法，其中該熔斷器包括一種材料，其具有足以使該熔斷器由于正被該齊納二極管傳導的電流而燃燒的電阻，該材料反射X射線光。

20.權利要求15所述的方法，其中該熔斷器包括特定材料、特定形狀或特定面積中的至少一個。