[發明專利]超表面太赫茲動態反射式極化調制器

在審

• 申請號: 201710356417.5
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107359388A
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 蘭峰;武曉芳;楊梓強;史宗君
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01P1/165
• 分類號: H01P1/165;H01P1/17
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙)51215
• 代理人: 劉勛

1.超表面太赫茲動態反射式極化調制器，包括極化結構單元，所述極化結構單元包括襯底介質基片以及設置于襯底介質基片正面的正面諧振結構和設置于介質基片反面的反面諧振結構，其特征在于，正面諧振結構與反面諧振結構結構相同且互為90°共軛；

所述正面諧振結構包括下述各邊：

設置于第一象限右方的第一金屬邊(L1)，

設置于第二象限上方的第二金屬邊(L2)，

設置于第二象限左方的第一金屬氧化物邊(3)，

設置于第三象限左方的第四金屬邊(L4)，

設置于第四象限下方的第五金屬邊(L5)，

設置于第四象限右方的第二金屬氧化物邊(4)；

以上各邊在襯底介質基板上的投影皆為直角梯形，各直角梯形的斜腰均指向對稱中心區域，且均具有一個平行于x軸的直角邊。

2.如權利要求1所述的超表面太赫茲動態反射式極化調制器，其特征在于，所述金屬氧化物邊的材質為二氧化釩。

3.如權利要求2所述的超表面太赫茲動態反射式極化調制器，其特征在于，

第一金屬邊(L1)、第二金屬邊(L2)、第一金屬氧化物邊(3)、第四金屬邊(L4)、第五金屬邊(L5)、第二金屬氧化物邊(4)在襯底介質基板上的投影皆為具有一個45°角的直角梯形。

4.如權利要求2所述的超表面太赫茲動態反射式極化調制器，其特征在于，包括M×N個極化結構單元，極化結構單元按照M×N陣列排布，M和N均為大于或等于40的整數。

5.如權利要求2所述的超表面太赫茲動態反射式極化調制器，其特征在于，所述襯底介質基片采用PET材料，介電常數為2.43，磁導率為1，損耗正切為0.001。

6.如權利要求2所述的超表面太赫茲動態反射式極化調制器，其特征在于，正面諧振結構為中心旋轉對稱結構。