[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710355767.X
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN108962754B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙猛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底和在所述半導(dǎo)體襯底之上的柵極結(jié)構(gòu)；所述柵極結(jié)構(gòu)包括：在所述半導(dǎo)體襯底上的柵極電介質(zhì)層、在所述柵極電介質(zhì)層上的柵極和在所述柵極兩側(cè)的側(cè)壁上的間隔物層；

對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕以形成分別在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一凹陷和第二凹陷；

對所述間隔物層的在所述柵極至少一側(cè)的側(cè)壁上的部分進(jìn)行刻蝕以露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分，其中，對所述間隔物層的在所述柵極至少一側(cè)的側(cè)壁上的部分進(jìn)行刻蝕的步驟包括：通過刻蝕工藝在所述間隔物層的下部且在所述柵極的至少一側(cè)形成凹口，所述凹口露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分；以及

形成填充所述第一凹陷的源極和填充所述第二凹陷的漏極；其中，所述源極包括在所述第一凹陷中的第一源極部分和在所述第一源極部分上的第二源極部分，所述漏極包括在所述第二凹陷中的第一漏極部分和在所述第一漏極部分上的第二漏極部分；

其中，所述第二源極部分和所述第二漏極部分中的至少一個(gè)覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的被露出的所述至少一部分；

其中，所述第一源極部分的上表面與所述半導(dǎo)體襯底的上表面齊平，所述第一漏極部分的上表面與所述半導(dǎo)體襯底的上表面齊平；

所述第二源極部分的摻雜濃度大于所述第一源極部分的摻雜濃度；

所述第二漏極部分的摻雜濃度大于所述第一漏極部分的摻雜濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

對所述間隔物層的在所述柵極至少一側(cè)的側(cè)壁上的部分進(jìn)行刻蝕以露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分的步驟包括：

對所述間隔物層的在所述柵極兩側(cè)的側(cè)壁上的部分進(jìn)行刻蝕以露出所述半導(dǎo)體襯底的分別在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一部分表面和第二部分表面；

其中，在形成所述源極和所述漏極的過程中，所述第二源極部分覆蓋所述第一部分表面，所述第二漏極部分覆蓋所述第二部分表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一源極部分和所述第一漏極部分的材料分別包括：硅鍺、碳化硅或磷化硅；

所述第二源極部分和所述第二漏極部分的材料分別包括：硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成所述源極和所述漏極之前，所述方法還包括：在所述第一凹陷和所述第二凹陷中形成籽層；

形成所述源極和所述漏極的步驟包括：

在所述籽層上形成填充所述第一凹陷的第一源極部分和填充所述第二凹陷的第一漏極部分；以及

在所述第一源極部分上形成第二源極部分，和在所述第一漏極部分上形成第二漏極部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

所述籽層、所述第一源極部分和所述第一漏極部分的材料分別包括硅鍺；

其中，所述第一源極部分所包含鍺的濃度和所述第一漏極部分所包含鍺的濃度分別大于所述籽層所包含鍺的濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述第一源極部分和所述第一漏極部分之后以及在形成所述第二源極部分和所述第二漏極部分之前，形成所述源極和所述漏極的步驟還包括：

在所述第一源極部分和所述第一漏極部分中注入碳、氟和/或氮。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述源極和所述漏極之后，所述方法還包括：

對所述源極和所述漏極執(zhí)行離子注入，以在所述源極和所述漏極中注入碳、氟和/或氮。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

所述碳、所述氟和/或所述氮的注入深度分別為1nm至20nm；

所述碳、所述氟和/或所述氮的注入濃度分別為1×10¹⁹atom/cm³到5×10²⁰atom/cm³。