[發(fā)明專利]由鋁電解槽產(chǎn)生的廢氮化硅結(jié)合碳化硅磚回收利用方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710355631.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108275684B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李劍峰;田守信;藍(lán)振華;高廣震;吳朝齊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海彭浦特種耐火材料廠有限公司;上海柯瑞冶金爐料有限公司;陽谷信民耐火材料有限公司;山東柯信新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01B33/10 | 分類號(hào): | C01B33/10;C04B35/565;C25C3/08 |
| 代理公司: | 上海京滬專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31235 | 代理人: | 阮玉欣 |
| 地址: | 200072 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電解槽 產(chǎn)生 氮化 結(jié)合 碳化 硅磚 回收 利用 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種由鋁電解槽產(chǎn)生的廢氮化硅結(jié)合碳化硅磚的回收利用方法,其特征在于將鋁電解槽產(chǎn)生的廢氮化硅結(jié)合碳化硅磚進(jìn)行收集,放在真空加熱爐內(nèi),進(jìn)行真空加熱,這利用廢氮化硅結(jié)合碳化硅磚內(nèi)的電解質(zhì)汽化反應(yīng)和蒸發(fā),導(dǎo)致處理后碳化硅磚內(nèi)沒有電解質(zhì)Na3AlF6,而同樣出現(xiàn)少量AlN。利用本發(fā)明提供的方法,鋁電解槽產(chǎn)生的廢氮化硅結(jié)合碳化硅磚的回收率為99%,同時(shí)揮發(fā)出來的電解質(zhì)經(jīng)過冷凝回收,可以再作為電解鋁的電解質(zhì)使用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種由鋁電解廢氮化硅結(jié)合碳化硅磚回收利用方法,屬于資源再生和環(huán)境保護(hù)的領(lǐng)域。涉及到滲入氟鹽的氮化硅結(jié)合的碳化硅制品,從該制品用后固體廢料中分離回收氮化硅結(jié)合碳化硅和氟鹽組分的方法。
背景技術(shù)
金屬鋁是用氟鹽-氧化鋁電解法生產(chǎn)的。其側(cè)墻主要用氮化硅結(jié)合的碳化硅磚砌筑的。該磚的成分為SiC:70~80%,Si3N4:20~28%。在使用過程中,氟鹽電解質(zhì)滲透到該氮化硅結(jié)合碳化硅磚氣孔里,并且部分氮化硅被腐蝕:Si3N4(s)+4AlF3(l)=3SiF4↑+4AlN(s)。這樣,在用后氮化硅結(jié)合的碳化硅磚里,除了SiC主要成分外,Si3N4明顯減少,而存在低熔點(diǎn)的AlF3、NaF等氟鹽。這嚴(yán)重影響了這些用后氮化硅結(jié)合碳化硅產(chǎn)品作為耐火材料的再生利用。給再生利用和環(huán)保帶來嚴(yán)重的影響。
鋁電解槽陰極和槽邊部內(nèi)襯的使用壽命一般為4~6年。電解槽破壞后,滲透了電解質(zhì)的側(cè)墻氮化硅結(jié)合碳化硅磚,從電解槽中清理出,并堆積到特定地方。目前,尚無一個(gè)在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都可行的處理方法。
CN201010571952.0“一種鋁電解槽的廢舊碳化硅側(cè)壁材料的處理方法”報(bào)道的要點(diǎn)是:首先將廢舊碳化硅磚進(jìn)行人工分離,分為腐蝕部分和未腐蝕部分;腐蝕部分經(jīng)過粗碎、中碎和細(xì)碎等破碎步驟,將其粉碎為粒度小于700μm的顆粒;用水對(duì)粉碎的顆粒進(jìn)行洗滌處理后過濾,濾餅接著進(jìn)行二次洗滌并過濾,得到的濾渣主要物相是SiC和Si3N4;一次洗滌的濾液可以采用兩種處理方式,首選方法是蒸發(fā)濃縮后得到硅酸鈉濃縮液,另一種是通過添加CaCl2與硅酸鈉反應(yīng)生成硅酸鈣和氟化鈣。該發(fā)明雖然實(shí)現(xiàn)了廢舊材料的回收利用,但該方法不足之處是仍有污水和粉塵導(dǎo)致二次污染的環(huán)保問題,同樣經(jīng)過破粉碎加工等也有粉塵等環(huán)境問題。用后碳化硅磚的腐蝕部分和未腐蝕部分之間界限不明顯,并且它們之間的結(jié)合強(qiáng)度很大,難以分離。再就是再生產(chǎn)品附加值也很低。因此,該發(fā)明在環(huán)保,經(jīng)濟(jì)性和可實(shí)施性方面都存在問題。
CN201010571458.4“一種利用鋁電解槽廢碳化硅生產(chǎn)脫氧劑的方法”。具體實(shí)施包括以下步驟:(1)分揀分離,將大修的鋁電解槽廢碳化硅與其它廢耐火材料分揀開,去掉廢碳化硅表面腐蝕部分;(2)破碎,將分離后的廢碳化硅破碎、細(xì)碎;(3)無害化,將步驟(1)中分離的腐蝕廢碳化硅送無害化系統(tǒng)處理;(4)配料混料,將細(xì)碎后的碳化硅粉加水和樹脂攪拌均勻;(5)成球,將混配好的物料送入團(tuán)球機(jī)制成小球;(6)養(yǎng)護(hù),將成型后的小球自然養(yǎng)護(hù)4~7天,即為脫氧劑。該發(fā)明簡單,易行,是一個(gè)不錯(cuò)的好方法。但是值得指出的是,這種再生材料內(nèi)含有約20~28%的Si3N4。即N含量約為8~11%,這將導(dǎo)致鋼液增氮,因此,對(duì)于低氮含量的潔凈鋼的質(zhì)量將產(chǎn)生不利的影響。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的各種問題,本發(fā)明的目的在于提供一種由鋁電解槽產(chǎn)生的廢氮化硅結(jié)合碳化硅回收利用的方法,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明按照下列步驟進(jìn)行:
1)開啟爐子上蓋,把來源于鋁廠的廢碳化硅磚放在爐子里。然后密封好爐子的上蓋和底蓋。
2)開啟抽真空,將爐內(nèi)真空度抽至≤2乇。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海彭浦特種耐火材料廠有限公司;上海柯瑞冶金爐料有限公司;陽谷信民耐火材料有限公司;山東柯信新材料有限公司,未經(jīng)上海彭浦特種耐火材料廠有限公司;上海柯瑞冶金爐料有限公司;陽谷信民耐火材料有限公司;山東柯信新材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710355631.9/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 時(shí)鐘產(chǎn)生電路及產(chǎn)生方法
- 用于產(chǎn)生有用媒體流、尤其用于產(chǎn)生聲音的產(chǎn)生設(shè)備
- 顯示路徑的產(chǎn)生方法、產(chǎn)生設(shè)備和產(chǎn)生程序
- 信號(hào)產(chǎn)生裝置及其產(chǎn)生方法
- 諧波產(chǎn)生裝置及其產(chǎn)生方法
- 氫產(chǎn)生催化劑、氫產(chǎn)生方法、氫產(chǎn)生裝置
- FRU產(chǎn)生裝置及其產(chǎn)生方法
- 信號(hào)產(chǎn)生電路及信號(hào)產(chǎn)生方法
- 蒸汽產(chǎn)生裝置和蒸汽產(chǎn)生設(shè)備
- 音頻產(chǎn)生裝置及音頻產(chǎn)生方法
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





