[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710355386.1
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN108962987B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 李浩

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體襯底；

在所述半導體襯底上的半導體鰭片；

在所述半導體鰭片上的柵極結構；

在所述半導體鰭片中且分別在所述柵極結構兩側的第一凹陷和第二凹陷；

位于所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和側壁上的擴散阻擋層，所述擴散阻擋層包括含氮的第一擴散阻擋層和含碳的第二擴散阻擋層，所述第一擴散阻擋層在所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和側壁上，所述第二擴散阻擋層在所述第一擴散阻擋層上；以及

在所述擴散阻擋層上的電極。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述擴散阻擋層中，所述碳的摻雜濃度為1×10¹⁸atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³；

在所述擴散阻擋層中，所述氮的摻雜濃度為1×10¹⁹atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述電極包括：在所述擴散阻擋層上且填充所述第一凹陷的抬升的源極和在所述擴散阻擋層上且填充所述第二凹陷的抬升的漏極。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述擴散阻擋層的導電類型與所述電極的導電類型相同。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述擴散阻擋層的厚度范圍為8nm至35nm；

所述第一擴散阻擋層的厚度范圍為4nm至16nm；

所述第二擴散阻擋層的厚度范圍為4nm至16nm。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極結構包括：在所述半導體鰭片的一部分上的柵極電介質層、在所述柵極電介質層上的柵極以及在所述柵極側面上的間隔物。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述電極包含：碳和/或氮。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述電極中的所述碳和/或所述氮的注入深度分別為1nm至20nm；

在所述電極中的所述碳和/或所述氮的注入濃度分別為1×10¹⁹atom/cm³到5×10²⁰atom/cm³。

9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體結構，所述半導體結構包括：半導體襯底、在所述半導體襯底上的半導體鰭片以及在所述半導體鰭片上的柵極結構；

在所述半導體鰭片中且分別在所述柵極結構兩側形成第一凹陷和第二凹陷；

在所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和側壁上形成擴散阻擋層，所述擴散阻擋層包括含氮的第一擴散阻擋層和含碳的第二擴散阻擋層，其中形成擴散阻擋層的步驟包括：通過外延工藝在所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和側壁上形成第一擴散阻擋層，以及通過外延工藝在所述第一擴散阻擋層上形成第二擴散阻擋層；以及

在所述擴散阻擋層上形成電極。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，

在所述擴散阻擋層中，所述碳的摻雜濃度為1×10¹⁸atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³；

在所述擴散阻擋層中，所述氮的摻雜濃度為1×10¹⁹atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³。