[發(fā)明專利]一種高折射率耐硫化TFT?LCD封裝硅膠在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710354592.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107286898A | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白航空 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥市惠科精密模具有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09J183/07 | 分類號(hào): | C09J183/07;C09J183/05;C09J183/04;C09J163/10;C09J11/04;C09J11/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市新站區(qū)九*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 折射率 硫化 tft lcd 封裝 硅膠 | ||
1.一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于,其是由如下重量份數(shù)的原料組成:甲基苯基乙烯基硅樹脂72-84份、乙烯基樹脂36-44份、擴(kuò)鏈劑端含氫二苯基聚硅氧烷18-22份、聚硅氧烷A 30-40份、聚硅氧烷B 28-34份、含有環(huán)烯烴結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅8-18份、鉑系催化劑3-6份、粘接劑4-7份、交聯(lián)劑3-5份、抑制劑2-4份、表面改性的納米鉆石3-5份、固化促進(jìn)劑2-3份和固化抑制劑3-5份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于,其制備方法包括以下步驟:
(1)將甲基苯基乙烯基硅樹脂、乙烯基樹脂、擴(kuò)鏈劑端含氫二苯基聚硅氧烷、聚硅氧烷A、聚硅氧烷B混合均勻,將混合物加熱到45℃進(jìn)行分散處理15-25min;
(2)將上述分散處理后的混合物加熱至55-60℃,邊攪拌邊依次加入含有環(huán)烯烴結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅、鉑系催化劑、粘接劑、交聯(lián)劑、抑制劑、表面改性的納米鉆石、固化促進(jìn)劑和固化抑制劑,充分混合均勻,然后在真空條件下進(jìn)行脫泡,獲得初制膠;
(3)將所述初制膠進(jìn)行固化處理,得到TFT-LCD封裝硅膠,再冷卻至45℃時(shí),放入點(diǎn)膠機(jī)上進(jìn)行點(diǎn)膠,保持在45℃,再在150℃溫度下預(yù)熱60min以上進(jìn)行除濕,除濕后3-4h內(nèi)封膠;
(4)封膠處理后在70℃的溫度下烘烤2-3h,然后將溫度提高到150℃烘烤3-4h即得所述TFT-LCD封裝硅膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于:所述甲基苯基乙烯基硅樹脂分子式為(ViMe2SiO1/2)x(PhSiO3/2)y,其中,所述Me為甲基,Vi為乙烯基,Ph為苯基,x:y=1:4-5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于:所述交聯(lián)劑為含有側(cè)基氫的有機(jī)氫聚硅氧烷,結(jié)構(gòu)式為:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于:所述鉑系催化劑為氯鉑酸的醇溶液、鉑-乙烯基硅氧烷配合物、鉑烯烴配合物中的任意一種,其中鉑含量為3600-4500ppm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于:所述表面改性的納米鉆石由以下方法制備得到:將白油、硅氧烷偶聯(lián)劑和納米鉆石混合,所述硅氧烷偶聯(lián)劑和納米鉆石的質(zhì)量比為2:1,在60-80℃下攪拌均勻,分離得到固形物,在120-150℃,-0.1-0.99Mpa下烘干60-120min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于:所述含有環(huán)烯烴結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅的結(jié)構(gòu)式如下:
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高折射率耐硫化TFT-LCD封裝硅膠,其特征在于:所述固化促進(jìn)劑為氯鉑酸和四甲基二乙烯基二硅氧烷的配合物,所述固化抑制劑為乙炔基環(huán)己醇。
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