[發明專利]劈刀結構有效
| 申請號: | 201710353579.3 | 申請日: | 2017-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN107275242B | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 邱基華 | 申請(專利權)人: | 潮州三環(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟 |
| 地址: | 521000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 劈刀 結構 | ||
本發明涉及一種劈刀結構。包括劈刀本體,所述劈刀本體內設置有中心軸線與所述劈刀本體的中心軸線重合、且靠近所述劈刀本體端部的錐形壁,與所述錐形壁同軸設置的內腔壁,及連接所述錐形壁與所述內腔壁的第一弧形過渡壁;所述錐形壁、所述內腔壁和所述第一弧形過渡壁共同圍成供焊線通過的過線通孔。在焊線相對過線通孔運動的過程中,由于在錐形壁與內腔壁之間連接有第一弧形過渡壁,消除了錐形壁與內腔壁之間連接處的尖角,實現了錐形壁與內腔壁之間連接的平順過渡,有效避免了該尖角對焊線表面所產生的刮痕,確保焊線本身的機械強度,焊線不容易在外界沖擊力或交變應力的作用下產生拉斷或疲勞斷裂,確保焊線的焊接質量。
技術領域
本發明涉及半導體封裝技術領域,特別是涉及一種劈刀結構。
背景技術
在半導體集成電路生產工藝中,通常需要將半導體裸芯片焊區與微電子封裝的I/O引線或基板上的金屬布線焊區采用金屬細絲(焊絲)連接。
一般地,將焊線穿過劈刀的過線孔,采用熱壓鍵合或超聲鍵合的方式對焊線進行焊接(即在加熱、加壓或摩擦力的作用下,焊線與焊區接觸面原子間達到原子引力范圍而焊合)。具體的,焊線與第一焊接工位鍵合形成第一鍵合點(即焊線的一端已被固定在第一焊接工位處,焊線的該固定端即為第一鍵合點),然后劈刀按設定的軌跡離開第一鍵合點,焊線在過線孔中相對劈刀滑動,使得劈刀的下端與第一鍵合點之間拉出一段焊線,當劈刀運動至第二焊接工位的上方時,劈刀下降并使焊線的另一部分與第二焊接工位鍵合形成第二鍵合點。最后,劈刀在第二鍵合點處剪斷焊線,這樣,焊線連接在第一焊接工位和第二焊接工位之間。
對于傳統的劈刀,焊線在相對過線孔運動并相對劈刀的端部伸長的過程中,焊線會產生刮傷,進而影響半導體產品的焊接質量。
發明內容
基于此,有必要提供一種能防止焊線刮傷以提高焊接質量的劈刀結構。
一種劈刀結構,包括劈刀本體,所述劈刀本體內設置有中心軸線與所述劈刀本體的中心軸線重合、且靠近所述劈刀本體端部的錐形壁,與所述錐形壁同軸設置的內腔壁,及連接所述錐形壁與所述內腔壁的第一弧形過渡壁;所述錐形壁、所述內腔壁和所述第一弧形過渡壁共同圍成供焊線通過的過線通孔。
在其中一個實施例中,所述錐形壁包括靠近所述劈刀本體端部的第一錐壁,所述第一弧形過渡壁連接在所述第一錐壁與所述內腔壁之間。
在其中一個實施例中,所述第一弧形過渡壁的半徑為R,其中R的取值范圍是:2μm≤R≤60μm。
在其中一個實施例中,所述第一弧形過渡壁的半徑R的值為30μm≤R≤60μm。
在其中一個實施例中,所述第一錐壁的錐角為r,其中r的取值范圍是50°≤r≤150°。
在其中一個實施例中,所述錐形壁包括靠近所述劈刀本體端部的第二錐壁,與所述第二錐壁同軸連接并位于所述第二錐壁與所述內腔壁之間的第三錐壁,所述第一弧形過渡壁連接所述第三錐壁和所述內腔壁。
在其中一個實施例中,所述錐形壁還包括連接在所述第二錐壁與所述第三錐壁之間的第二弧形過渡壁。
在其中一個實施例中,所述第一弧形過渡壁與所述第二弧形過渡壁的半徑相等。
在其中一個實施例中,所述第一弧形過渡壁與所述第二弧形過渡壁的半徑均為30μm。
本發明提供的劈刀結構,在焊線相對過線通孔運動的過程中,由于在錐形壁與內腔壁之間連接有第一弧形過渡壁,消除了錐形壁與內腔壁之間連接處的尖角,實現了錐形壁與內腔壁之間連接的平順過渡,有效避免了該尖角對焊線表面所產生的刮痕,確保焊線本身的機械強度,焊線不容易在外界沖擊力或交變應力的作用下產生拉斷或疲勞斷裂;同時,也提高了焊線與芯片之間的焊接力,焊線與芯片不易脫離,最終確保焊線的焊接質量。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





