[發(fā)明專利]管式PERC單面太陽能電池及其制備方法和專用設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710353393.8 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN107256894B | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 方結(jié)彬;林綱正;賴俊文;何乃林;殷文杰;何達能;陳剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東愛旭科技股份有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528100 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | perc 單面 太陽能電池 及其 制備 方法 專用設(shè)備 | ||
1.一種管式PERC單面太陽能電池，其特征在于，包括背銀主柵、全鋁背電場、背面復(fù)合膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面鈍化膜和正銀電極；所述全鋁背電場、背面復(fù)合膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面鈍化膜和正銀電極從下至上依次層疊連接；
所述背面復(fù)合膜包括三氧化二鋁膜、二氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜中的一種或多種，且采用管式PECVD設(shè)備在硅片背面沉積而成，所述管式PECVD設(shè)備設(shè)有硅烷、氨氣、三甲基鋁、笑氣四條氣體管路，所述四條氣體管路單獨或組合作用，用于形成所述三氧化二鋁膜、二氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜；所述管式PECVD設(shè)備裝卸硅片的器具為石墨舟；所述背面復(fù)合膜再經(jīng)過激光開槽后形成30-500個平行設(shè)置的激光開槽區(qū)，每個激光開槽區(qū)內(nèi)設(shè)置至少1組激光開槽單元，所述全鋁背電場通過激光開槽區(qū)與P型硅相連；
所述石墨舟的卡點槽的深度為0.6-0.8mm，卡點底座的直徑為6-15mm，卡點帽的斜面角度為35-45度，卡點帽的厚度為1-1.3mm。
2.如權(quán)利要求1所述管式PERC單面太陽能電池，其特征在于，電池背面形成3-5個卡點印。
3.如權(quán)利要求1或2所述管式PERC單面太陽能電池，其特征在于，所述背面復(fù)合膜的底層為三氧化二鋁膜，外層由二氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜的一種或多種組成。
4.如權(quán)利要求1或2所述管式PERC單面太陽能電池，其特征在于，所述背面復(fù)合膜的底層為二氧化硅膜，第二層為三氧化二鋁膜，外層由二氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜的一種或多種組成。
5.如權(quán)利要求1所述管式PERC單面太陽能電池，其特征在于，所述三氧化二鋁膜的厚度為5-15nm，所述氮化硅膜的厚度為50-150nm，所述氮氧化硅膜的厚度為5-20nm，所述二氧化硅膜的厚度為1-10nm。
6.一種如權(quán)利要求1-5任一項所述管式PERC單面太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
(1)在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；
(2)在硅片正面進行擴散，形成N型發(fā)射極；
(3)去除擴散過程形成的磷硅玻璃和周邊PN結(jié)，并對硅片背面進行拋光,背刻蝕深度為3-6微米；
(4)對硅片進行退火，退火溫度為600-820度，氮氣流量為1-15L/min，氧氣流量為0.1-6L/min；
(5)采用管式PECVD設(shè)備在硅片背面沉積背面復(fù)合膜，包括：
采用TMA與N2O沉積三氧化二鋁膜，TMA的氣體流量為250-500sccm，TMA與N2O的比例為1/15-25，等離子功率為2000-5000w；
采用硅烷、氨氣和笑氣沉積氮氧化硅膜，硅烷的氣體流量為50-200sccm，硅烷與笑氣的比例為1/10-80，氨氣的流量為0.1-5slm，等離子功率為4000-6000w；
采用硅烷和氨氣沉積氮化硅膜，硅烷的氣體流量為500-1000sccm，硅烷與氨氣的比例為1/6-15，氮化硅的沉積溫度為390-410℃，時間為300-500s，等離子功率為10000-13000w；
采用笑氣沉積二氧化硅膜，笑氣的流量為0.1-5slm，等離子功率為2000-5000w；
所述管式PECVD設(shè)備設(shè)有硅烷、氨氣、三甲基鋁、笑氣四條氣體管路，所述管式PECVD設(shè)備裝卸硅片的器具為石墨舟，所述卡點槽的深度為0.6-0.8mm，卡點底座的直徑為6-15mm，卡點帽的斜面角度為35-45度，卡點帽的厚度為1-1.3mm；
(6)在硅片正面沉積鈍化膜；
(7)對硅片背面復(fù)合膜上進行激光開槽；
其中，激光波長為532nm，激光功率為14w以上，激光劃線速度在20m/s以上，頻率500KHZ以上；
(8)在硅片背面印刷背銀主柵漿料，烘干；
(9)在硅片背面采用絲網(wǎng)印刷鋁漿，烘干；
(10)在硅片正面印刷正銀電極漿料；
(11)對硅片進行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀主柵、全鋁背電場和正銀電極；
(12)對硅片進行抗LID退火，制得管式PERC單面太陽能電池成品。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東愛旭科技股份有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司，未經(jīng)廣東愛旭科技股份有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710353393.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：太陽能電池
- 下一篇：一種高性能GaAs激光電池的制作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
