[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710353342.5
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN107403831B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 那須賢太郎
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體層，其具有包含p型源極區域、p型漏極區域、所述p型源極區域與所述p型漏極區域之間的n型基體區域和與所述n型基體區域相對的柵極電極的晶體管結構，并且具有包含所述晶體管結構的有源區域和包圍所述有源區域的外周區域；和

設置于所述半導體層的恒壓二極管，其具有與所述p型源極區域連接的n型部和與所述柵極電極連接的p型部，

所述恒壓二極管包括沿著所述外周區域配置的外周二極管，在所述外周二極管中，所述p型部和所述n型部分別以包圍所述有源區域的形狀形成，

所述晶體管結構和所述恒壓二極管被單芯片化。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述p型部和所述n型部具有彼此相同的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在所述外周二極管中，所述n型部配置在比所述p型部靠內側的位置。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述恒壓二極管包括層疊在所述半導體層上的多晶硅。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于：

所述晶體管結構中，所述柵極電極包括由被埋入在形成于所述半導體層的柵極溝槽中的多晶硅構成的溝槽柵極結構。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述恒壓二極管包括配置于所述半導體層內的雜質區域。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述恒壓二極管的擊穿電壓為8V以下。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述半導體器件具有縱橫為0.6mm×0.4mm以下的芯片尺寸。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在所述外周二極管中，所述p型部和所述n型部分別以包圍所述有源區域的環狀的一體結構形成。