[發(fā)明專利]一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710352225.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107170781B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 侯文軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤(rùn)湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成用于限定每個(gè)子像素的發(fā)光區(qū)域的像素定義層薄膜;
在所述像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒;其中所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鱿袼囟x層薄膜上處于相鄰子像素之間的區(qū)域;
對(duì)形成納米顆粒后的像素定義層薄膜進(jìn)行圖案化處理,保留位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域的材料,形成像素定義層的圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒,包括:
在所述像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域形成含有納米顆粒的混合溶液;
對(duì)所述襯底基板進(jìn)行預(yù)烘烤處理,使所述混合溶液中的納米顆粒進(jìn)入到所述像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述混合溶液還包括用于承載所述納米顆粒的極性溶劑。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述極性溶劑包括下列溶劑中的一種或組合:
水、醇類和酯類。
6.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述混合溶液中納米顆粒的質(zhì)量含量為0.5%-30%。
7.如權(quán)利要求2-6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在所述像素定義層薄膜上形成的所述混合溶液的厚度,不大于所述像素定義層薄膜的厚度。
8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述圖案化處理包括曝光和顯影。
9.一種顯示基板,其特征在于,包括襯底基板,以及設(shè)置在所述襯底基板上的像素定義層,所述像素定義層僅在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)包含納米顆粒,所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鱿袼囟x層薄膜上處于相鄰子像素之間的區(qū)域;
所述顯示基板采用權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法制作,以形成襯底基板,以及設(shè)置在所述襯底基板上的預(yù)設(shè)區(qū)域、且包含納米顆粒的像素定義層。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示基板,其特征在于,所述納米顆粒均勻分散在所述像素定義層中;或,
所述納米顆粒為團(tuán)聚成線型的結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求9-10任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述納米顆粒的材料包含下列材料中的一種或組合:
二氧化硅,氮化硅,氧化鈣或氧化鋇。
12.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的顯示基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





