[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201710352102.3
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN107403742B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 天久賢治;吉田武司;難波敏光
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;崔炳哲

基板處理裝置包括：基板保持單元，其將基板保持為水平；基板旋轉單元，其使被保持的基板繞沿鉛直方向的規定的旋轉軸線旋轉；處理液供給噴嘴，其沿水平方向移動，向被保持的基板的上表面供給處理液；切斷構件，其將與被保持的基板的上表面之間的環境氣體從周圍環境氣體切斷；非活性氣體供給單元，其向被保持的基板的上表面與切斷構件之間供給非活性氣體；切斷構件旋轉單元，其使切斷構件繞所述旋轉軸線旋轉；控制器，其控制切斷構件旋轉單元，調整旋轉方向上的通過容許部的位置，以使處理液供給噴嘴能夠通過環狀部。切斷構件包括包圍由基板保持單元保持的基板的環狀部、以及設置于環狀部并容許所述處理液供給噴嘴通過所述環狀部的通過容許部。

技術領域

本發明涉及處理基板的基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象的基板例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED(Field EmissionDisplay：場致發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

背景技術

在利用逐張地處理基板的單張式基板處理裝置的基板處理中，例如，向由旋轉卡盤大致水平地保持的基板供給藥液。之后，向基板供給沖洗液，由此，基板上的藥液被置換成沖洗液。之后，進行用于排除基板上的沖洗液的旋轉脫水工序。

如圖12所示，在基板的表面形成有細微圖案的情況下，存在在旋轉脫水工序中不能去除進入了圖案內部的沖洗液之虞，由此，存在產生干燥不良的擔憂。進入圖案內部的沖洗液的液面(空氣與液體之間的界面)形成于圖案的內部，從而在液面與圖案之間的接觸位置產生液體的表面張力。在該表面張力大的情況下，容易引起圖案的倒塌。由于作為典型的沖洗液的水的表面張力大，因此不能忽視旋轉脫水工序中的圖案倒塌。

于是，能夠考慮到如下情況：供給比水的表面張力低的低表面張力液體的異丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)，用IPA置換進入圖案內部的水，之后通過去除IPA來使基板上表面干燥。

為了去除IPA來使基板上表面迅速干燥，有必要降低基板上表面附近的環境氣體的濕度。此外，溶解于IPA的氧可能使圖案氧化，因此需要降低基板上表面附近的環境氣體的氧濃度來使氧不溶于IPA。但是，在處理腔室的內部空間容納有旋轉卡盤等構件，因此處理腔室的內部空間比較大。因此，難以降低處理腔室內整體環境氣體的氧濃度和濕度。

美國專利申請公開第2015/234296號說明書的基板處理裝置具備：切斷構件，其配置于使基板繞通過該基板中央部的鉛直旋轉軸線旋轉的旋轉卡盤的上方；以及中心噴嘴，其沿著切斷構件的中心線沿上下方向延伸。切斷構件包括：圓板部，其具有與由旋轉卡盤保持的基板的上表面相向的相向面；以及圓筒部，其從圓板部的外周部向下方延伸。圓板部上形成有在與該基板的上表面相向的相向面的中央處開口的向下噴出口。從向下噴出口向下方噴出處理液、氮氣等。中心噴嘴經由向下噴出口向下方噴出處理液。

在美國專利申請公開第2015/234296號說明書的基板處理裝置中，在切斷構件位于使從由旋轉卡盤保持的基板的上表面到切斷構件的相向面的距離較近的接近位置的狀態下，從向下噴出口噴出氮氣，由此，使基板與切斷構件之間的空間充滿氮氣。在該狀態，能夠從中心噴嘴向基板上表面供給處理液。

但是，存在想要根據處理液的用途、基板處理裝置的規格等，使用能夠沿水平方向移動的噴嘴向基板供給處理液的情況。這種情況下，從噴嘴向基板供給處理液，應當以不使噴嘴與切斷構件圓筒部干渉的方式，向上方移動切斷構件。這樣，就不能充分限制基板上的空間，因此存在不能將基板與切斷構件之間的環境氣體的氧濃度和濕度保持在低水平的問題。

發明內容

因此，本發明的一個目的在于提供一種基板處理裝置和基板處理方法，其能夠在降低被保持為水平的基板的上表面與切斷構件之間的環境氣體的氧濃度和濕度的狀態下，從能夠水平移動的處理液供給噴嘴向基板的上表面供給處理液。