[發(fā)明專(zhuān)利]一種半壓電路保護(hù)方法及移動(dòng)終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710351994.5
• 申請(qǐng)日: 2017-05-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992571B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏華兵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 維沃移動(dòng)通信有限公司;維沃移動(dòng)通信有限公司北京分公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02J7/00
• 分類(lèi)號(hào): H02J7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發(fā)明提供了一種半壓電路保護(hù)方法及移動(dòng)終端，通過(guò)以第一電流向充電電容充電，該第一電流的電流值小于半壓電路額定工作電流；獲取充電電容工作狀態(tài)下的溫度值；將充電電容工作狀態(tài)下的溫度值與充電電容未工作狀態(tài)下的溫度值的差值確定為充電電容的溫升值；確定該溫升值對(duì)應(yīng)的電流值；當(dāng)溫升值對(duì)應(yīng)的電流值小于等于半壓電路額定工作電流，將第一電流調(diào)整為額定工作電流；當(dāng)溫升值對(duì)應(yīng)的電流值大于半壓電路額定工作電流，降低第一電流的電流值。從而利用半壓電路中充電電容的溫升值作為充電電容是否處于開(kāi)路失效情況的檢測(cè)依據(jù)，可及時(shí)發(fā)現(xiàn)充電電容的開(kāi)路狀態(tài)，使半壓電路的狀態(tài)安全可控，確保移動(dòng)終端的充電效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半壓電路保護(hù)方法及移動(dòng)終端。

背景技術(shù)

目前，移動(dòng)終端高壓快充方案中有一種新的電路架構(gòu)即半壓電路結(jié)構(gòu)，該半壓電路結(jié)構(gòu)結(jié)合了傳統(tǒng)高壓充電方案中提高充電通路電壓、減小線路上電流及功率損耗的優(yōu)點(diǎn)，以及低壓直充方案中手機(jī)端和充電器雙向通信提高充電安全度的優(yōu)點(diǎn)，可以以較高的效率實(shí)現(xiàn)大電流充電。

最基礎(chǔ)的半壓電路原理框圖如圖1所示，半壓器件內(nèi)部通常單個(gè)模塊采用4個(gè)NMOS管做開(kāi)關(guān)，其中，各兩個(gè)NMOS管一對(duì)，如圖1中Q1和Q3NMOS管一對(duì)，Q2和Q4NMOS管一對(duì)。輸入端電壓為Vin，輸出端電壓為Vout，充電電容Cfly兩端電壓為Vcfly。

半壓電路的具體工作過(guò)程如下所示：

在前半個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，控制Q1和Q3兩個(gè)NMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，控制Q2和Q4兩個(gè)NMOS管處于截止，輸入端Vin電壓給充電電容Cfly充電，此時(shí)，Vin＝Vcfly+Vout；

在后半個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，控制Q2和Q4兩個(gè)NMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，控制Q1和Q3兩個(gè)NMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，充電電容Cfly與輸出導(dǎo)熱Cout形成并聯(lián)，充電電容Cfly放電，此時(shí)，電壓Vcfly＝Vout；

通過(guò)控制開(kāi)關(guān)占空比為50％，實(shí)現(xiàn)Vout＝Vin/2。

在整個(gè)半壓電路工作中，通過(guò)控制NMOS管的狀態(tài)對(duì)充電電容Cfly進(jìn)行充電和放電，從而實(shí)現(xiàn)電壓減半，電流增倍的功能，充電電容Cfly是整個(gè)電路外圍最核心的零件，充電電容Cfly的有效容值和等效ESR與整個(gè)電路的效率直接相關(guān)，在常見(jiàn)的應(yīng)用設(shè)計(jì)中，通常采用圖1所示的多個(gè)電容并聯(lián)的方式組成充電電容Cfly。

而在該類(lèi)應(yīng)用中，充電電容Cfly組由于電應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的風(fēng)險(xiǎn)可能會(huì)出現(xiàn)某個(gè)電容短路或開(kāi)路的失效場(chǎng)景，當(dāng)充電電容Cfly組中某個(gè)電容發(fā)生短路時(shí)，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)充電電容Cfly組失效，在開(kāi)關(guān)上半個(gè)周期內(nèi)(Q1和Q3NMOS管導(dǎo)通)，充電電容Cfly組失去儲(chǔ)能功能，Vin通過(guò)短路的電容直接連接到Vout端，此時(shí)通常可以通過(guò)NMOS管上的峰值電流過(guò)流檢測(cè)及輸出端的過(guò)壓檢測(cè)實(shí)現(xiàn)硬件保護(hù)。而對(duì)于充電電容Cfly組中某個(gè)或某幾個(gè)電容開(kāi)路的這類(lèi)場(chǎng)景下，通常半壓電路的功能還是正常的，但只是性能上會(huì)有下降，導(dǎo)致充電效果降低。對(duì)于這類(lèi)失效場(chǎng)景，目前還沒(méi)有較好的方案可以檢測(cè)出來(lái)，并對(duì)長(zhǎng)期應(yīng)用可能產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行規(guī)避。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半壓電路保護(hù)方法及移動(dòng)終端，以解決現(xiàn)有技術(shù)不能有效檢測(cè)半壓電路中充電電容的開(kāi)路失效狀態(tài)而導(dǎo)致無(wú)法確保移動(dòng)終端充電效果的問(wèn)題。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半壓電路保護(hù)方法，應(yīng)用于移動(dòng)終端，所述半壓電路包括充電電容Cfly，所述方法包括：

以第一電流向所述充電電容充電，所述第一電流的電流值小于所述半壓電路額定工作電流；

獲取所述充電電容工作狀態(tài)下的溫度值；

將所述充電電容工作狀態(tài)下的溫度值與所述充電電容未工作狀態(tài)下的溫度值的差值確定為所述充電電容的溫升值；

確定所述溫升值對(duì)應(yīng)的電流值；