[發(fā)明專利]一種離子注入法制作N型PERT雙面太陽電池的制備工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710351678.8
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN107425086A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許新湖;梁興芳;盧發(fā)樹;柯雨馨
• 申請（專利權(quán)）人: 陽光中科（福建）能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種離子注入法制作N型PERT雙面太陽電池的制備工藝，其特征在于：所述工藝流程包括如下步驟：

硅片雙面制絨；

對制絨后的硅片正面離子注入硼形成P⁺N結(jié)，背面離子注入磷形成N⁺N高低結(jié)；

硅片雙面共同激活回火并同時(shí)生成SiO₂鈍化膜；

在生成SiO₂鈍化膜后的硅片雙面用PECVD法生長SiN_x減反膜；

在生長SiN_x減反膜后的硅片雙面印刷Ag；

對雙面印刷Ag后的硅片進(jìn)行共燒結(jié)處理；

對共燒結(jié)處理后的硅片進(jìn)行電性測試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子注入法制作N型PERT雙面太陽電池的制備工藝，其特征在于：所述硅片正面離子注入硼形成P⁺N結(jié)，背面離子注入磷形成N⁺N結(jié)中P⁺和N⁺層的方阻都為80Ω/sq，方阻均勻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子注入法制作N型PERT雙面太陽電池的制備工藝，其特征在于：所述生成SiO₂鈍化膜的共同回火溫度1000℃～1050℃，時(shí)間持續(xù)半小時(shí)，在回火工藝快結(jié)束時(shí)的15分鐘通純氧80ml/min，生成相當(dāng)用干氧法成長的SiO₂鈍化膜，SiO₂鈍化膜厚度為15nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子注入法制作N型PERT雙面太陽電池的制備工藝，其特征在于：所述用PECVD法生長SiN_x減反膜的厚度為70nm，SiO₂鈍化膜與SiN_x減反膜形成SiO₂/SiN_X的雙層鈍化減反膜。