[發明專利]無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法在審
| 申請號： | 201710351449.6 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN106950200A | 公開（公告）日： | 2017-07-14 |
| 發明（設計）人： | 劉鋼;許浩 | 申請（專利權）人： | 量準（上海）實業有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/59 | 分類號： | G01N21/59 |
| 代理公司： | 北京金蓄專利代理有限公司11544 | 代理人： | 馬賀 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 變頻 三維 陣列 等離子 共振 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)準備錐形納米柱模具，在所述模具表面均勻分布對苯二甲酸乙二醇酯片材；
(2)在紫外光下進行固化，形成周期性納米孔模式的對苯二甲酸乙二醇酯襯底；
(3)將模具內形成的襯底從模具中剝離出來，通過電子束蒸發法將金屬沉積在所述襯底上表面，并在錐形納米柱內表面形成第一金屬層，通過射頻濺射法在所述第一金屬層上表面形成絕緣層，再通過電子束蒸發法將金屬沉積于所述絕緣層上表面形成第二金屬層，由此形成內嵌于所述錐形納米柱襯底的納米光學諧振腔。
2.根據權利要求1所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中通過電子束蒸發法將鈦金沉積在所述襯底上表面，在錐形納米柱內表面形成第一金屬層。
3.根據權利要求1所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中通過射頻濺射法將硫化鎘或二氧化硅沉積于所述第一金屬層上表面形成絕緣層。
4.根據權利要求1所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中通過電子束蒸發法將金沉積于所述絕緣層上表面形成第二金屬層。
5.根據權利要求1至4任一所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述襯底為錐形杯狀，其空腔深度為250～1000nm，所述第一金屬層厚度為20～120nm，絕緣層厚度為20nm，所述第二金屬層厚度為20～120nm。
6.根據權利要求5所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器，其特征在于，所述襯底的空腔深度為300nm，所述第一金屬層厚度為90nm，絕緣層厚度為20nm，所述第二金屬層厚度為90nm。
7.根據權利要求1所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述模具為在石英材料上通過光刻工藝制得錐形納米柱模型。
8.根據權利要求1所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述固化時間為30秒至5分鐘。
9.根據權利要求8所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器的制備方法，其特征在于，所述固化時間為2分鐘。
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