[發(fā)明專利]在讀操作時(shí)糾正DRAM中存儲(chǔ)陣列的錯(cuò)誤的方法以及DRAM

在審

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• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN107195329A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 亞歷山大
• 申請（專利權(quán)）人: 西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/42
• 分類號(hào): G11C29/42;G06F11/10
• 代理公司: 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11285
• 代理人: 鄭建暉,鐘守期

1.一種在讀操作時(shí)糾正DRAM中存儲(chǔ)陣列的錯(cuò)誤的方法，其中所述存儲(chǔ)陣列包括數(shù)據(jù)陣列和ECC陣列，所述方法包括：

從所述存儲(chǔ)陣列中讀取數(shù)據(jù)；

當(dāng)該數(shù)據(jù)中含有錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位時(shí)，通過DRAM中的ECC解碼和糾正模塊對所述錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位進(jìn)行糾正；

僅僅將經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位以及其位置寄存在一個(gè)寄存器中；

該寄存器控制DRAM中的多個(gè)寫驅(qū)動(dòng)，以僅僅將經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位寫回到所述存儲(chǔ)陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該寄存器包括數(shù)據(jù)寄存器和位置寄存器，并且其中經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位被寄存在該數(shù)據(jù)寄存器中，經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位的位置被寄存在該位置寄存器中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該數(shù)據(jù)寄存器包括一個(gè)或多個(gè)子寄存器，所述一個(gè)或多個(gè)子寄存器的數(shù)目為所述ECC解碼和糾正模塊能夠糾正的錯(cuò)誤的位數(shù)，所述一個(gè)或多個(gè)子寄存器中的每一個(gè)子寄存器分別連接至所述多個(gè)寫驅(qū)動(dòng)中的每一個(gè)寫驅(qū)動(dòng)，由所述位置寄存器根據(jù)經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位的位置發(fā)出使能信號(hào)來開啟相應(yīng)的寫驅(qū)動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位存在于所述數(shù)據(jù)陣列中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位存在于所述ECC陣列中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述寫驅(qū)動(dòng)為存儲(chǔ)器已有的寫驅(qū)動(dòng)，其中：在進(jìn)行讀操作時(shí)，由所述位置寄存器根據(jù)經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位的位置發(fā)出使能信號(hào)，以開啟相應(yīng)的寫驅(qū)動(dòng)并且控制將數(shù)據(jù)寄存器中的經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位傳導(dǎo)到寫驅(qū)動(dòng)；在進(jìn)行寫操作的時(shí)候，斷開所述數(shù)據(jù)寄存器和寫驅(qū)動(dòng)的連接，使得待寫入的數(shù)據(jù)由外部決定。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述寫驅(qū)動(dòng)為不同于存儲(chǔ)器已有的寫驅(qū)動(dòng)的新的寫驅(qū)動(dòng)，其中：當(dāng)進(jìn)行寫操作的時(shí)候，已有的寫驅(qū)動(dòng)去驅(qū)動(dòng)外部數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)陣列，新的寫驅(qū)動(dòng)關(guān)閉；當(dāng)進(jìn)行讀操作的時(shí)候，已有的寫驅(qū)動(dòng)關(guān)閉，當(dāng)存在經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位時(shí)，由所述位置寄存器根據(jù)經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位的位置發(fā)出使能信號(hào)，以開啟相應(yīng)的寫驅(qū)動(dòng)并且控制將數(shù)據(jù)寄存器中的經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位傳導(dǎo)到寫驅(qū)動(dòng)。

8.一種DRAM，該DRAM含有存儲(chǔ)陣列，該存儲(chǔ)陣列包括數(shù)據(jù)陣列和ECC陣列，其特征在于，

所述DRAM還包括一個(gè)寄存器，其中所述寄存器僅僅寄存有經(jīng)該DRAM中的ECC解碼和糾正模塊糾正后的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位以及其位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DRAM，該寄存器包括數(shù)據(jù)寄存器和位置寄存器，并且其中經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位被寄存在該數(shù)據(jù)寄存器中，經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位的位置被寄存在該位置寄存器中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的DRAM，其中該數(shù)據(jù)寄存器包括一個(gè)或多個(gè)子寄存器，所述DRAM中具有多個(gè)寫驅(qū)動(dòng)，所述一個(gè)或多個(gè)子寄存器的數(shù)目為所述ECC解碼和糾正模塊能夠糾正的錯(cuò)誤的位數(shù)，所述一個(gè)或多個(gè)子寄存器中的每一個(gè)子寄存器分別連接至所述多個(gè)寫驅(qū)動(dòng)中的每一個(gè)寫驅(qū)動(dòng)，由所述位置寄存器根據(jù)經(jīng)糾正的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位的位置發(fā)出使能信號(hào)來開啟相應(yīng)的寫驅(qū)動(dòng)。