[發明專利]一種倒裝垂直腔半導體激光器結構在審
| 申請號： | 201710350811.8 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN106953233A | 公開（公告）日： | 2017-07-14 |
| 發明（設計）人： | 崔碧峰;王陽;房天嘯;郝帥 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 倒裝 垂直 半導體激光器 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種倒裝垂直腔半導體激光器結構，其特征在于：包括鍵合到襯底上的P面電極(1)、P型DBR(2)、有源區(3)、N型DBR(4)和出光處代替增透膜和電極的ZnO透明電極(5)、SiO2(8)和金屬電極(9)。
2.按照權利要求1所述的結構，其特征在于：在ZnO透明電極(5)出光處對應的端面B無增透膜；P面電極(1)所在端面A和端面B相對。
3.按照權利要求1所述的結構，其特征在于：出光經過ZnO透明電極(5)后，出射光必須在端面B上。
4.按照權利要求1所述的結構，其特征在于：出光處的ZnO透明電極(5)既是電極又是增透膜，無需雙面光刻，為具有出光孔徑大小控制功能的電極。
5.按照權利要求1所述的結構，其特征在于：N型DBR和P型DBR實現對中心波長的反射以及選擇。
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