[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710350087.9
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN108962985B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/088
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括：

襯底；

在所述襯底上用于第一器件的第一鰭片；以及

在所述第一鰭片的一部分上的第一偽柵結構，所述第一偽柵結構包括在所述第一鰭片的一部分上的第一電介質層和在所述第一電介質層上的第一偽柵；

執行刻蝕工藝，以去除所述第一偽柵結構側面的第一鰭片的一部分，從而形成第一凹陷和第二凹陷；

執行氧化工藝，以使得所述第一凹陷和所述第二凹陷下的第一鰭片的表面被氧化，從而形成第一氧化物層；

執行選擇性去除工藝，以選擇性去除所述第一氧化物層的一部分，保留所述第一氧化物層位于所述第一電介質層邊緣下的部分；

執行外延工藝，以在所述第一凹陷和所述第二凹陷中外延生長半導體材料，從而形成第一源區和第一漏區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一偽柵結構還包括在所述第一偽柵上的第一硬掩模層以及位于所述第一偽柵和所述第一硬掩模層的側壁上的第一間隔物層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化工藝還使得第一電介質層的邊緣之間的部分下的第一鰭片的表面被氧化，從而形成與所述第一氧化物層鄰接的第一氧化區；

在選擇性去除工藝后，還保留所述第一氧化區。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述氧化工藝還使得第一電介質層的邊緣上的第一偽柵被氧化，從而形成第二氧化區；

在選擇性去除工藝后，還保留所述第二氧化區。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化工藝還使得第一電介質層的邊緣之間的部分上的第一偽柵被氧化，從而形成與所述第二氧化區鄰接的第三氧化區，所述第二氧化區的厚度大于所述第三氧化區的厚度；

在選擇性去除工藝后，還保留所述第三氧化區。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，利用氟化氫選擇性去除所述第一氧化物層的一部分。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化工藝包括快速熱氧化工藝、爐管氧化工藝或現場水汽生成工藝。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在執行外延工藝之后，沉積層間電介質層并進行平坦化，以露出所述第一偽柵；

去除所述第一偽柵，以形成用于第一器件的第一溝槽；

在所述第一溝槽的底部上形成第一高k電介質層；

在所述第一高k電介質層上形成第一柵極；

其中，所述第一電介質層、所述第一氧化物層位于所述第一電介質層邊緣下的部分和所述第一高k電介質層作為用于第一柵極的第一柵極電介質層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底結構還包括在所述襯底上用于第二器件的第二鰭片和在所述第二鰭片的一部分上的第二偽柵結構，所述第二偽柵結構包括在所述第二鰭片的一部分上的第二電介質層和在所述第二電介質層上的第二偽柵；

所述刻蝕工藝還去除所述第二偽柵結構側面的第二鰭片的一部分，以形成第三凹陷和第四凹陷；

所述氧化工藝還使得所述第三凹陷和所述第四凹陷下的第二鰭片的表面被氧化，從而形成第二氧化物層；

所述選擇性去除工藝還選擇性去除所述第二氧化物層的一部分，保留所述第二氧化物層位于所述第二電介質層邊緣下的部分；

所述外延工藝還在所述第三凹陷和所述第四凹陷中外延生長半導體材料，從而形成第二源區和第二漏區。