[發明專利]LED外延結構及其制備方法在審
| 申請號： | 201710349475.5 | 申請日： | 2017-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN107221585A | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發明（設計）人： | 劉恒山;顧偉霞;陳立人;馮猛 | 申請（專利權）人： | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙)32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 215123 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 外延 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種LED外延結構，其特征在于所述LED外延結構從下向上依次包括襯底、GaN成核層、N型GaN層、MQW有源層、高能級阻擋層及P型GaN層，其中，所述高能級阻擋層包括AlN層和/或AlN/AlGaN/AlN超晶格層。
2.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述高能級阻擋層的厚度范圍為10~60nm。
3.根據權利要求2所述的LED外延結構，其特征在于，所述高能級阻擋層的厚度范圍為20~40nm。
4.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，當所述高能級阻擋層為AlN/AlGaN/AlN超晶格層時，所述高能級阻擋層的Al含量范圍為20%~30%。
5.一種LED外延結構的制備方法，其特征在于包括步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上生長GaN成核層；
在所述GaN成核層上生長N型GaN層；
在所述N型GaN層上生長MQW有源層；
在所述MQW有源層上生長高能級阻擋層，所述高能級阻擋層包括AlN層和/或AlN/AlGaN/AlN超晶格層；
在所述高能級阻擋層上生長P型GaN層。
6.根據權利要求5所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，所述高能級阻擋層的厚度范圍為10~60nm。
7.根據權利要求6所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，所述高能級阻擋層的厚度范圍為20~40nm。
8.根據權利要求5所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，當所述高能級阻擋層為AlN/AlGaN/AlN超晶格層時，所述高能級阻擋層的Al含量范圍為20%~30%。
9.根據權利要求5所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，所述高能級阻擋層的生長溫度范圍為700~900℃，其生長壓力范圍為50~300torr。
10.根據權利要求9所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，所述高能級阻擋層的生長溫度為800℃，其生長壓力為100torr。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聚燦光電科技股份有限公司，未經聚燦光電科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710349475.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種煤礦井下水處理裝置
- 下一篇：污水處理系統及處理工藝
