[發明專利]用于DRAM的ECC編碼方法以及DRAM

在審

• 申請號: 201710349017.1
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN107039087A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 亞歷山大
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G06F11/10
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司11285
• 代理人: 鄭建暉,鐘守期

1.一種對DRAM進行ECC編碼的方法，其中，該DRAM包括存儲陣列，所述方法包括：

在對DRAM進行刷新的同時，標志位設定和檢測模塊檢測標志位陣列中的標志位是否為初始值，其中所述標志位陣列位于所述存儲陣列中，所述標志位設定和檢測模塊位于所述DRAM中，并且其中所述標志位與所述存儲陣列中的數據陣列的每一數據長度為N的數據一一對應；

若所述標志位設定和檢測模塊檢測到標志位為初始值，指示與該標志位對應的N位數據未被ECC編碼，則所述標志位設定和檢測模塊生成一個使能信號，該使能信號使得所述DRAM中的ECC編碼模塊對這N位數據進行ECC編碼，產生相應的監督位，并且所述標志位設定和檢測模塊將該標志位設定為非初始值；以及

若所述標志位設定和檢測模塊檢測到標志位為非初始值，指示與該標志位對應的N位數據已被ECC編碼，則所述標志位設定和檢測模塊不執行操作；

其中所述ECC編碼模塊僅在所述標志位設定和檢測模塊生成一個使能信號的情況下對數據進行編碼。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在刷新時，DRAM的所有字線依次被激活，同一字線下的數據同時被刷新，但每次刷新時每根字線下僅一部分數據被ECC編碼。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在緊接著DRAM上電后的刷新中，每次刷新時每根字線中進行ECC編碼的列地址數目是相同的。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，在DRAM上電后對數據陣列中的數據都進行了一次ECC編碼之后，每次刷新時每根字線中進行ECC編碼的列地址數目是不同的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在DRAM上電后的首次刷新之前，所述標志位陣列中的標志位都被設定為初始值。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，當外部數據源對DRAM執行數據寫入時，所述標志位設定和檢測模塊使得與寫入的數據相對應的標志位變為初始值。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述刷新包括自動刷新和自刷新。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述初始值為0，所述非初始值為1。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述初始值為1，所述非初始值為0。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述標志位設定和檢測模塊檢測所述標志位是否為初始值是對每根字線按照列地址依次進行的。