[發明專利]制備配向膜的系統與方法、基板以及顯示面板

在審

• 申請號: 201710348821.8
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN106990616A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 韓君奇;李靜;陸光權;劉利萍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 趙天月

1.一種制備配向膜的系統，其特征在于，包括：

刻蝕裝置，所述刻蝕裝置中限定出樣品容納空間；

模板裝置，所述模板裝置包括刻蝕模板，所述刻蝕模板與所述刻蝕裝置相對設置；以及

等離子體裝置，所述等離子體裝置設置在所述模板裝置遠離所述刻蝕裝置的一側，所述等離子體裝置被設置為能夠產生等離子體，且所述等離子體能夠通過所述刻蝕模板，作用于所述樣品容納空間中的待刻蝕樣品。

2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述等離子體裝置進一步包括：

等離子體發生單元，所述等離子體裝置為氣體電解等離子體裝置；

氣體介質單元，所述氣體介質單元向所述等離子體發生單元供給氣體介質。

3.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，進一步包括：

對位裝置，所述對位裝置與所述模板裝置相連，用于基于所述待刻蝕樣品的位置，對所述刻蝕模板進行對位處理。

4.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述刻蝕模板上具有刻蝕區以及遮擋區，所述刻蝕區環繞所述遮擋區設置，所述刻蝕區是由網狀模板構成的，所述網狀模板的網絲直徑為10-20微米。

5.一種制備配向膜的方法，其特征在于，包括：

通過等離子體裝置產生等離子體，利用所述等離子體，基于所述模板裝置的刻蝕模板，對刻蝕裝置中的待刻蝕樣品進行刻蝕處理，以便獲得所述配向膜。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述等離子體裝置為氣體電解等離子體裝置。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在進行所述刻蝕處理之前，進一步包括：

利用對位裝置，基于所述待刻蝕樣品的位置，對所述刻蝕模板進行對位處理，

所述對位處理是通過以下步驟實現的：

所述待刻蝕樣品包括襯底以及待刻蝕配向膜，所述待刻蝕配向膜設置在所述襯底上，所述待刻蝕配向膜包括顯示區以及待刻蝕區，所述待刻蝕區環繞所述顯示區設置，所述遮擋區的面積大于所述顯示區的面積，基于所述顯示區的位置，對所述刻蝕模板進行對位處理，使所述遮擋區的邊緣在所述襯底上的投影，與所述顯示區的邊緣之間的距離為0.15-0.3mm。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蝕區是由網狀模板構成的，所述網狀模板的網絲直徑為10-20微米，所述方法進一步包括：

通過調節所述網絲直徑，控制所述刻蝕處理的刻蝕速率。

9.一種基板，其特征在于，包括：

襯底；

配向膜，所述配向膜設置在所述襯底上，所述配向膜是由權利要求1-4任一項所述的系統制備的。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括：

彩膜基板，所述彩膜基板上設置有第一配向膜；

陣列基板，所述陣列基板與所述彩膜基板對盒設置，所述陣列基板上設置有第二配向膜；

液晶層，所述液晶層設置在所述第一配向膜以及所述第二配向膜之間，

其中，所述第一配向膜以及所述第二配向膜的至少之一是由權利要求1-4任一項所述的系統制備的。