[發(fā)明專利]基于紅外發(fā)光源的光模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710348552.5
• 申請(qǐng)日: 2017-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN107248885A
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號(hào): H04B10/40
• 分類號(hào): H04B10/40;H01L33/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于紅外發(fā)光源的光模塊。

背景技術(shù)

隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，人們對(duì)網(wǎng)絡(luò)資源的需求急速增長(zhǎng)，對(duì)互聯(lián)網(wǎng)提供的服務(wù)趨向多元化，而這一切的實(shí)現(xiàn)都需要高速的光網(wǎng)絡(luò)作為載體。目前高速光網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)已成為國(guó)家意志，三網(wǎng)融合已成為大勢(shì)所趨，豐富的網(wǎng)絡(luò)資源在為用戶提供嶄新的互動(dòng)娛樂方式和生活體驗(yàn)的同時(shí)，也為企業(yè)和商戶提供著全面的服務(wù)。

隨著越發(fā)成熟的光網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，各大設(shè)備商、原料商、器件商逐鹿光通信產(chǎn)業(yè)，從而加劇了光通信產(chǎn)業(yè)鏈的商業(yè)化技術(shù)性競(jìng)爭(zhēng)。其中，光模塊作為光纖通信系統(tǒng)的核心部件，在當(dāng)前世界范圍內(nèi)對(duì)其的海量需求，但隨著光模塊需求的增加，現(xiàn)有光模塊的制造成本高和光模塊的功耗高等問(wèn)題也越來(lái)越突出。

然而，目前由于光模塊中發(fā)光源的限制，降低光模塊的成本和減小功耗變的尤為艱難。因此如何選擇發(fā)光源和提高發(fā)光源的發(fā)光效率進(jìn)而降低功耗就變得極其重要。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于紅外發(fā)光源的光模塊，包括：紅外發(fā)光源、接收器、合成芯片、存儲(chǔ)器和光接口；其中，

合成芯片包括驅(qū)動(dòng)器、放大器和處理器，且分別與發(fā)光源和接收器相連接；發(fā)光源和接收器分別與光接口相連接。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器為電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，并通過(guò)兩線式串行總線(Inter－Integrated Circuit，I2C)連接至合成芯片。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器電連接至發(fā)光源，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光源發(fā)光并控制發(fā)光源的電壓來(lái)改變發(fā)光強(qiáng)弱，以實(shí)現(xiàn)將數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)變成光信號(hào)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，接收器電連接至放大器，用于將接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，通過(guò)其輸出端傳輸至放大器。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光源的負(fù)端連接合成芯片，發(fā)光源的正端連接直流電源。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在發(fā)光源中設(shè)置有Ge脊?fàn)畈▽?dǎo)型LED。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，Ge脊?fàn)畈▽?dǎo)型LED包括：SOI襯底、改性Ge層、本征Ge層、N型Ge區(qū)域、P型Ge區(qū)域及鈍化層；其中，

改性Ge層、本征Ge層及鈍化層依次層疊于SOI襯底上；

N型Ge區(qū)域和P型Ge區(qū)域分布在改性Ge層和本征Ge層的兩側(cè)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，N型Ge區(qū)域及P型Ge區(qū)域是通過(guò)對(duì)改性Ge層和本征Ge層進(jìn)行離子注入形成的。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括負(fù)電極及正電極，負(fù)電極連接N型Ge區(qū)域，正電極連接P型Ge區(qū)域。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

1.本發(fā)明的紅外發(fā)光源的光模塊，采用高發(fā)光率的發(fā)光源，進(jìn)而降低了光模塊的功耗；同時(shí)發(fā)光源的生產(chǎn)成本低于現(xiàn)有激光光源，即降低了光模塊的生產(chǎn)成本。

2.本發(fā)明的紅外發(fā)光源的光模塊，因其具有改性Ge脊?fàn)畈▽?dǎo)型LED有源區(qū)，使得器件發(fā)光效率提升。

3.本發(fā)明的脊?fàn)钚蚅ED，具有Ge外延層位錯(cuò)密度低的優(yōu)點(diǎn)，從而進(jìn)一步提高紅外發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

附圖說(shuō)明

為了清楚說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹。下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種紅外發(fā)光源的光模塊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種紅外發(fā)光源的電路連接示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種脊?fàn)钚蚅ED的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a-圖4m為本發(fā)明實(shí)施例的一種脊?fàn)钚蚅ED的制備工藝示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例一

請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種紅外發(fā)光源的光模塊結(jié)構(gòu)示意圖，光模塊1包括：紅外發(fā)光源11、接收器12、合成芯片13、存儲(chǔ)器14和光接口15；其中，