[發明專利]一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝

在審

• 申請號: 201710348401.X
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN107221435A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 張繼保
• 申請（專利權）人: 浙江長興鑫啟元電子科技有限公司
• 主分類號: H01G9/00
• 分類號: H01G9/00;H01G9/07
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司33214
• 代理人: 林偉鑫

1.一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、選材：選用鋁光箔、腐蝕箔或化成箔作為基材；

(2)、熱噴涂：基材的表面通過等離子熱噴涂技術將高介電常數納米級材料均勻涂覆于基材的表面，在基材的表面形成穩定的5-10μm的復合介質層；

(3)、電化學處理：通過電化學方法將復合介質層中可能存在的縫隙形成一層與Al₂O₃密合的5-10μm的致密復合介質層，從而提高相對介電常數ε_r。

2.根據權利要求1所述的一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝，其特征在于，所述的高介電常數納米級材料為鈦、鈦氧化物以及鈦酸鋇、錫、鋯、鋅的一種或多種，所述高介電常數納米級材料的目數不大于100納米，所述的高介電常數納米級材料通過球磨的方法形成微米級的納米團聚物后，再通過4500-5500℃的熱熔化后經等離子噴涂設備的等離子槍均勻涂覆于基材的表面。

3.根據權利要求1或2所述的一種新型鋁箔納米復合介質生產工藝，其特征在于，所述的電化學處理為將基材置于無機或有機酸及其鹽的3-15％水溶液中，按要求的電壓和電流進行電化學處理，以填補基材表面的復合介質層在熱噴涂過程中產生縫隙，使基材的表面形成致密復合介質層。