[發(fā)明專利]一種紫外LED器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710348313.X
• 申請(qǐng)日: 2017-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN106935695A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何苗;黃波;周俊楠;王志成;王成民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及紫外LED領(lǐng)域，特別是涉及一種紫外LED器件。

背景技術(shù)

紫外LED是LED的一種，其具備超長(zhǎng)壽命、冷光源、無熱輻射、壽命不受開閉次數(shù)影響、能量高、照射均勻效率高以及不含有毒物物質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)，使得其在醫(yī)療、殺菌、印刷、照明、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及保密通信等方面都有較大的應(yīng)用價(jià)值。

隨著LED波長(zhǎng)變短，輻射能量變強(qiáng)，使得傳統(tǒng)的有機(jī)封裝材料的耐紫外性能急劇下降，進(jìn)而導(dǎo)致紫外LED的壽命較短，穩(wěn)定性較低。且紫外LED輻射的高能量會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，而傳統(tǒng)的封裝方式無法滿足散熱需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種紫外LED器件，目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中紫外LED器件散熱性差導(dǎo)致的壽命短以及可靠性低的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種紫外LED器件，該器件包括：

陶瓷基座；設(shè)置于所述陶瓷基座的凹槽；設(shè)置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)；安裝于所述臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)處的石英玻璃蓋板；共晶倒裝焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片，其中，所述紫外LED芯片的正負(fù)極與所述凹槽底面之間至少有兩層導(dǎo)熱導(dǎo)電性能良好的金屬層，以實(shí)現(xiàn)所述紫外LED芯片的共晶倒裝焊接。

可選地，所述金屬層包括鍍于所述紫外LED芯片的正負(fù)極處的第一金屬層、鍍于所述凹槽底面處的第二金屬層以及位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的第三金屬層。

可選地，所述第一金屬層以及所述第二金屬層均為金膜層，所述第三金屬層為錫膜層。

可選地，所述第一金屬層的厚度為7-10um，所述第二金屬層的厚度為3-5um，所述第三金屬層為4-5um。

可選地，所述凹槽包括與水平面成預(yù)設(shè)角度的環(huán)形坡面。

可選地，所述紫外LED器件還包括填充于所述凹槽與所述石英玻璃蓋板形成的密閉空間的保護(hù)性氣體。

可選地，所述保護(hù)性氣體為惰性氣體或氮?dú)狻?/p>

可選地，所述臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)與所述石英玻璃蓋板之間的粘結(jié)劑為無機(jī)粘結(jié)劑。

可選地，所述無機(jī)粘結(jié)劑為堿金屬硅酸鹽粘合劑、磷酸鹽系統(tǒng)粘合劑以及磷酸氧化物系統(tǒng)粘合劑中的任意一種。

可選地，所述陶瓷基座為氧化鋁陶瓷基座或氮化鋁陶瓷基座。

本發(fā)明所提供的一種紫外LED器件，該器件包括陶瓷基座；設(shè)置于所述陶瓷基座的凹槽；設(shè)置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)；安裝于所述臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)處的石英玻璃蓋板；共晶倒裝焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片，其中，所述紫外LED芯片的正負(fù)極與所述凹槽底面之間至少有兩層導(dǎo)熱導(dǎo)電性能良好的金屬層，以實(shí)現(xiàn)所述紫外LED芯片的共晶倒裝焊接。本申請(qǐng)通過導(dǎo)電導(dǎo)熱性能良好的金屬，將紫外LED芯片共晶倒裝焊接于紫外LED器件內(nèi)，避免了傳統(tǒng)的固晶有機(jī)膠的使用；且在保證紫外LED芯片電氣連接的同時(shí)，能將熱量傳導(dǎo)至陶瓷基座，增加了器件的導(dǎo)熱性能，從而提高器件的穩(wěn)定性和壽命。可見，本申請(qǐng)有利于提高紫外LED器件的散熱性能。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的紫外LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的LED芯片共晶方式的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的陶瓷基板的開槽方式結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的紫外LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，該器件包括陶瓷基座11；設(shè)置于所述陶瓷基座的凹槽12；設(shè)置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)13；安裝于所述臺(tái)形階梯結(jié)構(gòu)處的石英玻璃蓋板14；共晶倒裝焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片15，其中，所述紫外LED芯片的正負(fù)極與所述凹槽底面之間至少有兩層導(dǎo)熱導(dǎo)電性能良好的金屬層，以實(shí)現(xiàn)所述紫外LED芯片的共晶倒裝焊接。