[發明專利]元胞版圖、元胞結構及碳化硅結勢壘肖特基二極管的制作方法

在審

• 申請號: 201710347957.7
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN107170836A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 唐亞超;何鈞;趙群;徐俊;王陸委;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州揚杰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 殷紅梅,劉海

1.一種元胞版圖，包括元胞區（101）、圍繞元胞區（101）的過渡區（103）、過渡區（103）外圍的終端區（104）、以及位于元胞區（101）之間的肖特基接觸區域（102）；其特征是：所述元胞區（101）包括第一元胞區和第二元胞區，第一元胞區包括若干圓形和/或多邊形元胞區，第二元胞區設置在過渡區（103）的拐角處，第二元胞區包括多條與過渡區（103）拐角相平行的條形元胞區。

2.如權利要求1所述的元胞版圖，其特征是：所述多邊形元胞區采用方形元胞區或六角形元胞區。

3.一種元胞結構，包括設置于器件上的元胞區，在元胞區設置元胞，元胞之間為肖特基接觸區域；其特征是：所述元胞包括第一元胞和第二元胞，第一元胞為若干圓形和/或多邊形元胞，第二元胞設置在器件過渡區的拐角處，第二元胞為條形元胞、與器件過渡區的拐角平行設置。

4.如權利要求3所述的元胞結構，其特征是：所述多邊形元胞采用方形元胞或六邊形元胞。

5.如權利要求3所述的元胞結構，其特征是：所述第一元胞相互平行或垂直布滿器件的元胞區。

6.如權利要求3所述的元胞結構，其特征是：所述器件為圓形器件或方形器件。

7.一種碳化硅結勢壘肖特基二極管的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

步驟S301：碳化硅襯底上生長外延層，外延層材制為碳化硅；

步驟S302：在外延層上沉積二氧化硅掩膜層；

步驟S303：采用元胞版圖光刻后對該二氧化硅掩膜層進行刻蝕圖形化，形成P注入區域圖形；

步驟S304：對P注入區域進行高能離子注入，以形成元胞區、過渡區和終端區。

8.如權利要求7所述的碳化硅結勢壘肖特基二極管的制作方法，其特征是：還包括后續工藝：去除二氧化硅掩膜層后進行高溫激活退火；背面濺射歐姆合金并退火形成歐姆接觸；正面濺射肖特基金屬并退火形成肖特基接觸，該正面金屬與P型摻雜區形成歐姆接觸，與非P型摻雜區形成肖特基接觸；正面和背面進行金屬加厚；正面形成鈍化層以及在鈍化層上開孔形成電極；背電極短接至襯底形成負電極。

9.如權利要求7所述的碳化硅結勢壘肖特基二極管的制作方法，其特征是：所述二氧化硅掩膜層的厚度為1.8-2.3微米。

10.如權利要求7所述的碳化硅結勢壘肖特基二極管的制作方法，其特征是：所述步驟S303中，刻蝕后的二氧化硅掩膜層的側壁傾斜角度大于85°。