[發(fā)明專利]多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710346739.1
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN107459273A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 織部晃暢;冨田崇弘;小林博治
• 申請（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: C04B18/02
• 分類號: C04B18/02;C04B26/02;C08K7/24;B28B1/50;B28B11/14;B28D1/22
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙)11432
• 代理人: 王軼,鄭雪娜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體，并涉及適合于實(shí)現(xiàn)含有該多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的構(gòu)成部件的低熱傳導(dǎo)率化的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體。

背景技術(shù)

作為填充到隔熱件、膜等中的填料，有專利文獻(xiàn)1～3中記載的組合物、中空粒子等。

專利文獻(xiàn)1中記載有能夠形成熱傳導(dǎo)率低的多孔質(zhì)有機(jī)聚硅氧烷固化物的固化性有機(jī)聚硅氧烷組合物。

專利文獻(xiàn)2中記載有使用采用了低熱傳導(dǎo)率的中空粒子的涂料來形成低熱傳導(dǎo)率的膜的內(nèi)容。

專利文獻(xiàn)3中記載有如下內(nèi)容：通過靜電相互作用使添加物粒子吸附于基料粒子表面，由此制造納米涂覆而得到的復(fù)合粒子，進(jìn)而使用該復(fù)合粒子經(jīng)由通常的粉末冶金工藝來制造復(fù)合材料。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-155946號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-10903號公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2010-64945號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

對于專利文獻(xiàn)1及2中記載的技術(shù)，低熱傳導(dǎo)率化不充分。對于專利文獻(xiàn)3中記載的技術(shù)，由于打算通過粉末冶金來制作復(fù)合材料，所以需要在基料粒子上涂覆粒徑為納米級的微粒。因此，基料粒子間的距離變短，這種情況下，低熱傳導(dǎo)率化仍舊不充分。

如果添加到粘結(jié)劑中的粒子較小，則難以使粒子均勻地分散在粘結(jié)劑中。另外，由于需要在對預(yù)先添加有粒子的粘結(jié)劑進(jìn)行燒成而制成塊體后設(shè)置在例如對象物上，所以很難設(shè)置在對象物的一部分區(qū)域或者沿著復(fù)雜的形狀進(jìn)行設(shè)置。

本發(fā)明是考慮以上課題而進(jìn)行實(shí)施的，目的是提供一種多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體，該多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體能夠?qū)崿F(xiàn)低熱傳導(dǎo)率化，并且，能夠使用粘結(jié)劑等而直接設(shè)置于對象物等，且能夠使塊體的設(shè)置變得容易。

[1]本發(fā)明所涉及的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的特征在于，包括：1個片材和粘著在所述片材上的多個多孔質(zhì)陶瓷粒子，鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此之間的間隙為10～80μm。

[2]本發(fā)明中，優(yōu)選：當(dāng)鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此之間的最大間隙為dmax、所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的最大厚度為tmax時，縱橫尺寸比(dmax/tmax)為0.02以上。

[3]本發(fā)明中，優(yōu)選：當(dāng)鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此之間的間隙中、在與所述片材接觸的表面的間隙為da、在與所述片材接觸的表面的相反側(cè)表面的間隙為db時，滿足da≤db。

[4]這種情況下，所述間隙da和所述間隙db可以滿足da<db，且鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此對置的側(cè)面間的寬度逐漸縮窄。

[5]或者，所述間隙da和所述間隙db可以滿足da<db，且鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此對置的側(cè)面為臺階狀。

[6]或者，所述間隙da和所述間隙db可以滿足da＝db，且鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此對置的側(cè)面平行。

[7]本發(fā)明中，優(yōu)選所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的氣孔率為20～99％。

[8]本發(fā)明中，優(yōu)選所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的平均氣孔徑為500nm以下。

[9]本發(fā)明中，優(yōu)選所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的熱傳導(dǎo)率低于1.5W/mK。

[10]本發(fā)明中，優(yōu)選所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的熱容量為1000kJ/m³K以下。

根據(jù)本發(fā)明所涉及的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體，能夠?qū)崿F(xiàn)低熱傳導(dǎo)率化，并且，能夠使用粘結(jié)劑等而直接設(shè)置于對象物等，且能夠使塊體的設(shè)置變得容易。

附圖說明

圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的立體圖。

圖2A是表示以1種平面形狀構(gòu)成多孔質(zhì)陶瓷集合體的例子的俯視圖，圖2B是表示以2種平面形狀構(gòu)成多孔質(zhì)陶瓷集合體的例子的俯視圖，圖2C是表示以3種平面形狀構(gòu)成多孔質(zhì)陶瓷集合體的例子的俯視圖。

圖3A是表示2個多孔質(zhì)陶瓷粒子的平面形狀中分別包含曲線的例子的俯視圖，圖3B是表示6個多孔質(zhì)陶瓷粒子的平面形狀中分別包含曲線的例子的俯視圖。

圖4A是表示多孔質(zhì)陶瓷粒子間的間隙較寬且鄰接的多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此對置的側(cè)面平行的情形的截面圖，圖4B是表示多孔質(zhì)陶瓷粒子間的間隙較寬且鄰接的多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此對置的側(cè)面間的寬度逐漸縮窄的情形的截面圖，圖4C是表示多孔質(zhì)陶瓷粒子間的間隙較寬且鄰接的多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此對置的側(cè)面為臺階狀的情形的截面圖。

圖5是表示本實(shí)施方式所涉及的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的第一制造方法的工序圖。

圖6是表示刮刀裝置之一例的示意圖。