[發明專利]內存裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 201710346268.4
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN108735249A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 李魁偉
• 申請（專利權）人: 瞻誠科技股份有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C11/413
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇;李有財

本發明公開了一種內存裝置，包括內存單元、驅動單元與二第三參考電壓接點。內存單元具有數據線與二第一參考電壓接點，其中數據線包括依序相鄰設置的多個第一輸入輸出接點，二第一參考電壓接點設置于數據線的兩側。驅動單元具有驅動數據線與二第二參考電壓接點，其中驅動數據線包括依序相鄰設置的多個第二輸入輸出接點，其各自與對應的第一輸入輸出接點連接，二第二參考電壓接點設置于驅動數據線的兩側且各自與第一參考電壓接點連接，驅動數據線的長度與數據線的長度相同。二第三參考電壓接點各自與第二參考電壓接點連接，以供給二第一參考電壓。通過本發明，以增加內存裝置的數據讀取的正確性及穩定性。

技術領域

本發明涉及內存的技術領域，尤其涉及一種內存裝置及其制作方法。

背景技術

一般來說，內存會設置一個參考電壓接點，用于供給參考電壓(VREF)，以便驅動內存的數據線進行數據讀取的操作。并且，數據線是由金屬線形成，其上會具有多個片電阻，前述參考電壓接點是設置在數據線的一側或是設置在數據線的中心位置上。

然而，由于數據在線具有多個片電阻，參考電壓會受到阻抗衰減問題的影響，使得數據在線距離參考電壓接點較近的基準電位會與數據在線距離參考電壓接點較遠的基準電位不一致，而隨著數據線的長度增加會使得參考電壓的基準電位損耗更嚴重，將造成內存因為參考電壓偏移下降而產生失真并影響數據讀取結果，如此會影響內存讀取數據的正確性及穩定性。因此，內存的設計上仍有改善的空間。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種內存裝置及其制作方法，以有效地減少參考電壓在數據線中被衰減而產生失真的情況，進而造成內存裝置在數據讀取上產生錯誤的問題，以增加內存裝置的數據讀取的正確性及穩定性。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種內存裝置，包括內存單元、驅動單元與二第三參考電壓接點。內存單元具有數據線與二第一參考電壓接點，其中數據線包括多個第一輸入輸出接點，第一輸入輸出接點依序相鄰設置，二第一參考電壓接點設置于數據線的兩側。驅動單元具有驅動數據線與二第二參考電壓接點，其中驅動數據線包括多個第二輸入輸出接點，第二輸入輸出接點依序相鄰設置，且第二輸入輸出接點各自與對應的第一輸入輸出接點連接，二第二參考電壓接點設置于驅動數據線的兩側且各自與第一參考電壓接點連接，驅動數據線的長度與數據線的長度相同。二第三參考電壓接點各自與第二參考電壓接點連接，以供給二第一參考電壓。

本發明實施例提供提供一種內存裝置的制作方法，包括下列步驟。提供內存單元，其中內存單元包括數據線，數據線包括多個第一輸入輸出接點，第一輸入輸出接點依序相鄰設置。于內存單元，設置二第一參考電壓接點，其中二第一參考電壓接點設置于數據線的兩側。提供驅動單元，其相鄰于內存單元，其中驅動單元具有驅動數據線，驅動數據線包括多個第二輸入輸出接點，第二輸入輸出接點依序相鄰設置，且第二輸入輸出接點各自與對應的第一輸入輸出接點連接，驅動數據線的長度與數據線的長度相同。于驅動單元，設置二第二參考電壓接點，二第二參考電壓接點設置于驅動數據線的兩側且各自與第一參考電壓接點連接。于驅動單元相對于內存單元的一側，設置二第三參考電壓接點，以供給二第一參考電壓，其中二第三參考電壓接點各自與第二參考電壓接點連接。

根據本發明的技術方案，通過在數據線的兩側分別配置二第一參考電壓接點及在驅動數據線的兩側分別配置二第二參考電壓接點。另外，除了在數據線的兩側分別配置二第一參考電壓接點及在驅動數據線的兩側分別配置二第二參考電壓接點外，還在數據線配置至少一第四參考電壓接點及在驅動數據線配置至少一第五參考電壓接點，其中至少一第四參考電壓接點位于第一輸入輸出接點的其中二第一輸入輸出接點之間及至少一第五參考電壓接點位于第二輸入輸出接點的其中二第二輸入輸出接點之間。此外，隨著數據線的長度增加，適當地增加第四參考電壓接點、第五參考電壓接點及第六參考電壓接點的數量。如此一來，可以有效地減少第一參考電壓在數據線中被衰減而產生失真的情況，進而造成內存裝置在數據讀取上產生錯誤的問題，以增加內存裝置的數據讀取的正確性及穩定性。

附圖說明