[發(fā)明專利]硅光電倍增器上重新圖案化傳輸線

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• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107393897A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設計）人: J.W.羅斯;D.L.麥克丹尼爾;S.I.多林斯基;S.帕利特
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L31/02;H01L31/107;H01L27/144;H01L31/18;H01L21/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 鄭浩,付曼

1.一種硅光電倍增器陣列，包括：

多個微單元，所述多個微單元在所述硅光電倍增器陣列中并位于硅晶片上，所述多個微單元以行和列布置；

所述多個微單元中的每一個包括輸出端口，并配置成提供具有脈沖特征的脈沖波形；

與硅晶片層背表面接觸的至少一個重新圖案化介電層，所述硅晶片具有與所述背表面相對的有源表面；以及

多個相應硅通孔(TSV)，所述多個相應硅通孔將所述硅晶片的有源表面上的所述多個微單元中的相應微單元的輸出端口連接到設置在所述硅晶片的背表面上的所述至少一個重新圖案化介電層上的多個相應電路線路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光電倍增器陣列，包括構(gòu)造為傳輸線的所述電路線路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光電倍增器陣列，包括鄰接所述至少一個重新圖案化層的地平面層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光電倍增器陣列，所述介電層包括聚酰亞胺。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光電倍增器陣列，所述電路線路大體上包括銅、鎳和金其中之一。

6.一種制造硅光電倍增器陣列的方法，所述方法包括：

在所述硅光電倍增器陣列中制造多個位于硅晶片上的微單元，所述多個微單元以行和列布置；

在所述硅晶片的背表面上形成至少一個重新圖案化介電層，所述背表面與所述硅晶片的有源表面相對；以及

產(chǎn)生多個相應硅通孔(TSV)，所述多個相應硅通孔(TSV)將所述多個微單元中的相應微單元的所述輸出端口連接到所述至少一個重新圖案化介電層上的多個相應電路線路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括應用重新圖案化技術(shù)以產(chǎn)生所述介電表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，所述重新圖案化技術(shù)包括應用液體聚酰亞胺。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括執(zhí)行光刻圖案化工藝和干法蝕刻工藝其中之一以制造所述TSV。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，所述多個相應電路線路中的每一個具有在約小于1微米到約大于10微米的范圍內(nèi)的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括通過蒸發(fā)沉積工藝和光刻工藝其中之一形成所述多個電路線路。