[發(fā)明專利]半導(dǎo)體的來料檢驗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710345396.7 | 申請日： | 2017-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN107238787A | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何保明 | 申請（專利權(quán)）人： | 浦北縣富通電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R31/12;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11357 | 代理人： | 魏忠暉 |
| 地址： | 535300 廣西壯族自治*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 來料 檢驗 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體包括FR107、IN4007、IN4148、6V2、DB3、可控硅和三極管；
所述半導(dǎo)體的來料檢驗方法包括以下步驟：
步驟1：目測：半導(dǎo)體標(biāo)識是否清晰，有無生銹、破損等情況；
步驟2：儀測：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)后，將半導(dǎo)體放在測試臺上檢測其耐壓，F(xiàn)R107的耐壓要求≥1200V，IN4007的耐壓要求≥1400V，IN4148的耐壓要求≥140V，6V2的耐壓要求6.2V±5％，DB3的耐壓要求32V±5％、可控硅和三極管的耐壓要求≥450V；
步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗報告表上，并判定允收或退貨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：FR107和IN4007檢測前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為5000V、電壓度為200V、電流度為1mA、幅度/級為1mA、功耗電阻為20KΩ、輸入為零電流、作用為關(guān)、測試為關(guān)、峰值電壓為2-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：IN4148檢測前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為500V、電壓度為20V、電流度為1mA、幅度/級為1mA、功耗電阻為5KΩ、輸入為零電流、作用為關(guān)、測試為B、峰值電壓為2-3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：6V2檢測前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為10V、電壓度為10V、電流度為1mA、幅度/級為1mA、功耗電阻為20KΩ、輸入為零電流、作用為關(guān)、測試為B、峰值電壓為4-5。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：DB3檢測前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為50V、電壓度為5V、電流度為1mA、幅度/級為1mA、功耗電阻為5KΩ、輸入為零電流、作用為關(guān)、測試為B、峰值電壓為4-5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：可控硅和三級管檢測前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為500V、電壓度為50V、電流度為1mA、幅度/級為1mA、功耗電阻為20KΩ、輸入為零電流、作用為正常、測試為A、峰值電壓為6-8。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體的來料檢驗方法，其特征在于：可控硅用可控硅簡易檢測儀檢測其保護作用狀況。
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