[發明專利]一種芯片封裝前的預處理方法

有效

• 申請號: 201710345190.4
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN106952872B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 方海生;羅顯剛;馬千里
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/56
• 代理公司: 42201 華中科技大學專利中心
• 代理人: 梁鵬;曹葆青<國際申請>=<國際公布>=

1.一種芯片封裝前的預處理方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

(a)將待處理芯片劃分為多個核心功能區，分別且同時加熱各個所述核心功能區，使得各個所述核心功能區內部形成均勻的熱應力，并在所述核心功能區形成一致溫度的高溫載荷，其與未施加溫度載荷的區域形成溫度梯度，該溫度梯度形成的局部高熱流密度在所述未施加溫度載荷的區域形成惡劣的熱應力環境；

(b)將所述核心功能區從所述待處理芯片上分離得到所需待封裝的部分，分離過程中所述未施加溫度載荷的區域在外力載荷作用下通過產生缺陷的形式使得該部分的熱應力得以釋放，進而使得所述核心功能區域處于弛豫狀態，保證其質量，由此完成該待處理芯片封裝前的預處理。

2.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，在步驟(a)中，所述待處理芯片采用氮化鎵芯片。

3.如權利要求1或2所述的預處理方法，其特征在于，在步驟(a)中，所述加熱采用在鎢鹵燈加熱爐腔體內進行。

4.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，在步驟(a)中，所述加熱的加熱溫度范圍采用700℃～1000℃，加熱時間采用30min～1h。

5.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，在步驟(b)中，所述分離過程沿相鄰所述核心功能區之間的中線切割。

6.如權利要求1所述的預處理方法，其特征在于，在步驟(b)中，所述分離采用金剛石刀具切割或輻射能量切割。