[發(fā)明專(zhuān)利]一種納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710344877.6
• 申請(qǐng)日: 2017-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107170878A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡西多;童玉珍;鄭小平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東莞理工學(xué)院
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/62
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/62;H01L33/52
• 代理公司: 廣州粵高專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司44102
• 代理人: 羅曉林,楊桂洋

1.一種納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板，包括陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上設(shè)有光源N極、光源P極和LED光源金屬導(dǎo)電層，該LED光源金屬導(dǎo)電層一端通過(guò)線路與光源N極連接、另一端通過(guò)線路與光源P極連接，LED光源金屬導(dǎo)電層上設(shè)有納米Ag復(fù)合焊膏層，該納米Ag復(fù)合焊膏上貼裝有與LED光源金屬導(dǎo)電層電連接的LED倒裝芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述納米Ag復(fù)合焊膏層以印刷或者涂覆方式設(shè)在LED光源導(dǎo)電金屬層上，并且以加壓加熱的方式使米Ag復(fù)合焊膏層與陶瓷基板燒結(jié)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板包括但不限于正方形、長(zhǎng)方形、圓形、橢圓形或者多邊形。

5.一種納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板的制備方法，包括以下步驟：

在陶瓷基板上進(jìn)行精密線路刻蝕形成LED光源金屬導(dǎo)電層、LED光源N極和LED光源P極，該LED光源N極和LED光源P極均與LED光源金屬導(dǎo)電層電連接；

通過(guò)化學(xué)和電火花放電合成制備納米Ag復(fù)合焊膏層，將該納米Ag復(fù)合焊膏層印刷或涂覆于LED光源金屬導(dǎo)電層上，以加壓加熱的方式使納米Ag復(fù)合焊膏層與陶瓷基板燒結(jié)連接；

將LED倒裝芯片覆合在Ag納米復(fù)合焊膏層上，進(jìn)行LED光源封裝，制作得到具有LED光源的陶瓷基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米Ag復(fù)合焊膏LED光源的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述納米Ag復(fù)合焊膏層及陶瓷基板經(jīng)加壓加熱燒結(jié)后熔點(diǎn)為930℃～960℃。