[發明專利]低噪放大器、用于低噪放大器的接收器和方法

有效

• 申請號: 201710344556.6
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN108880481B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 博通集成電路（上海）股份有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/193;H03F3/45
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 成春榮;竺云

本發明涉及一種低噪放大器，其包括：被分別配置成接收正輸入電壓和負輸入電壓的第一和第二輸入端口，第一和第二諧振電路，第一和第二晶體管；其中，第一晶體管的第一電壓輸出端口被連接到第二晶體管，并且第二諧振電路的第二電壓輸出端口被連接到第一晶體管，第一和第二電壓輸出端口分別通過第一和第二電容器被交叉耦合到第一晶體管和第二晶體管的第二節點；第二晶體管的第二節點通過第三電容器和第一晶體管的第三節點被連接到第二輸入端口，并且第一晶體管的第二節點通過第四電容器和第二晶體管的第三節點被連接到第一輸入端口。該低噪放大器具備低功耗和高增益，能夠極大地降低噪聲系數。

技術領域

本發明涉及一種模擬電路，更具體地說，本發明涉及但不限于一種低噪放大器、用于低噪放大器中的接收器和方法。

背景技術

超外差RF(射頻)接收器包括低噪放大器、被連接到低噪放大器(LNA)的混頻器、被連接到混頻器的濾波器、和被連接到濾波器的模數轉換器。由于混頻器具有相對較高的噪聲系數，為了降低該噪聲系數，混頻器的前端通常具有低噪放大器。LNA需要與天線匹配(常規為50歐姆ohm)，并且LNA還需要高增益以抑制混頻器的噪聲。LNA還需要低噪系統以降低LNA電路本身對系統貢獻的噪聲。進一步地，LNA需要低功耗以增加RF系統的電池壽命，和增加高線性度以減少干擾對期望信號的影響。因此，希望提供一種具有低噪系統、低功耗和高增益的LNA的新結構。

發明內容

根據本發明的一個實施例，低噪放大器(LNA)包括：分別被配置為接收正輸入電壓和負輸入電壓的第一和第二輸入端口(Vinn，Vinp)；第一諧振電路；第二諧振電路；第一晶體管(M1)和第二晶體管(M2)；其中，第一諧振電路的第一電壓輸出端口(Vop)被連接到第二晶體管的第一節點；第二諧振電路的第二電壓輸出端口(Von)被連接到第一晶體管的第一節點；其中第一電壓輸出端口和第二電壓輸出端口分別經由第一電容器和第二電容器被交叉耦合到第一晶體管的第二節點和第二晶體管的第二節點；其中第二晶體管的第二節點通過第三電容器和第一晶體管的第三節點被連接到第二輸入端口，并且第一晶體管的第二節點通過第四電容器和第二晶體管的第三節點被連接到第一輸入端口。

優選地，該低噪放大器LNA還包括第五電容器，第六電容器，第一電感器，第二電感器，第一電阻器，第二電阻器；

其中，第五電容器和第一電感器被并聯連接到電源Vcc和第一電壓輸出端口；以及

第六電容器和第二電感器被并聯連接到電源Vcc和第二電壓輸出端口。

優選地，該低噪放大器LNA還包括第五電容器，第六電容器，第一電感器，第二電感器，第一電阻器，第二電阻器；

其中，第五電容器、和第一電感器和第一電阻器之間的串聯連接被并聯連接到電源Vcc和第一電壓輸出端口，以及

第六電容器、和第二電感器和第二電阻器之間的串聯連接被并聯連接到電源Vcc和第二電壓輸出端口。

優選地，第一晶體管包括NMOS晶體管并且第二晶體管包括NMOS晶體管，

其中，第一晶體管的第一節點包括漏極，第一晶體管的第二節點包括柵極，第一晶體管的第三節點包括源極；

其中，第二晶體管的第一節點包括漏極，第二晶體管的第二節點包括柵極，第二晶體管的第三節點包括源極；以及

第一諧振電路在不同于第一電壓輸出端口的端口上被連接到電源，并且第二諧振電路在不同于第二電壓輸出端口的端口上被連接到電源。

優選地，第一晶體管包括PMOS晶體管并且第二晶體管包括PMOS晶體管，

其中，第一晶體管的第一節點包括漏極，第一晶體管的第二節點包括柵極，第一晶體管的第三節點包括源極；

其中，第二晶體管的第一節點包括漏極，第二晶體管的第二節點包括柵極，第二晶體管的第三節點包括源極；以及