[發明專利]半導體芯片

有效

• 申請號: 201710344167.3
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107393929B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 金爀;鄭丞弼;閔在豪
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11556;H01L27/11526
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體芯片，包括：

周邊電路區域，在基板上；

半導體層，在所述周邊電路區域上；

一層，電連接到所述半導體層并從所述半導體層的側部的一部分橫向延伸；以及

單元區域，在所述半導體層上。

2.如權利要求1所述的半導體芯片，其中電連接到所述半導體層的所述層在與所述半導體層相同的層級處。

3.如權利要求1所述的半導體芯片，其中電連接到所述半導體層的所述層包括電連接到所述半導體層的一部分的圖案。

4.如權利要求1所述的半導體芯片，其中所述半導體層和電連接到所述半導體層的所述層包括相同的材料。

5.如權利要求4所述的半導體芯片，其中所述半導體層和電連接到所述半導體層的所述層包括多晶硅層。

6.如權利要求4所述的半導體芯片，其中所述半導體層和電連接到所述半導體層的所述層包括單晶硅層。

7.如權利要求1所述的半導體芯片，其中電連接到所述半導體層的所述層包括導電層。

8.如權利要求1所述的半導體芯片，還包括在所述單元區域的側部的焊盤區域。

9.如權利要求8所述的半導體芯片，其中所述焊盤區域在垂直于所述基板的方向上交疊電連接到所述半導體層的所述層。

10.如權利要求8所述的半導體芯片，其中所述焊盤區域在垂直于所述基板的方向上交疊所述半導體層。

11.一種半導體芯片，包括：

周邊電路，在基板上；

半導體層，在所述周邊電路上；

一層，在與所述半導體層相同的層級處并電連接到所述半導體層的一部分，所述層從所述半導體層的側部的一部分橫向延伸；以及

單元區域，在所述半導體層上并包括存儲單元的晶體管。

12.如權利要求11所述的半導體芯片，其中在與所述半導體層相同的層級處并電連接到所述半導體層的一部分的所述層在所述半導體層的邊界區域處并包括多晶硅層或單晶硅層。

13.如權利要求11所述的半導體芯片，其中所述存儲單元交疊所述基板上的所述周邊電路。

14.如權利要求11所述的半導體芯片，其中所述存儲單元是其中所述晶體管平行于所述基板形成的水平型存儲單元或者其中所述晶體管垂直于所述基板形成的垂直型存儲單元。

15.如權利要求11所述的半導體芯片，其中所述周邊電路包括頁緩沖器、鎖存電路、高速緩沖存儲器電路、行解碼器、列解碼器、感應放大器和/或數據進/出電路。

16.如權利要求11所述的半導體芯片，還包括在所述單元區域中并電連接到所述周邊電路的周邊電路配線結構。

17.如權利要求11所述的半導體芯片，還包括：

焊盤區域，在所述單元區域的側部處；和

周邊電路配線結構，電連接到所述周邊電路。