[發(fā)明專利]一種陣列基板和顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710344166.9 | 申請日: | 2017-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN106950775A | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾鵬;杜永剛;高章飛;徐國華 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示(thin film transistor-liquid crystal display,TFT-LCD)廣泛應(yīng)用于移動應(yīng)用、筆記本電腦、液晶電視等領(lǐng)域,已經(jīng)成為平板顯示的主流產(chǎn)品。
摩擦配向(Rubbing)是TFT-LCD制作過程中不可或缺的步驟,在該過程中,摩擦布(Rubbing Cloth)與玻璃基板(Glass)之間的摩擦勢必會帶來靜電,如果靜電得不到有效釋放,就會在Glass上累積,當(dāng)靜電超過產(chǎn)品承受閾值時,就會產(chǎn)生各種靜電不良現(xiàn)象。
現(xiàn)有產(chǎn)品設(shè)計中,Rubbing過程中產(chǎn)生的靜電如果得不到有效釋放,就只能通過數(shù)據(jù)線(Data)向TFT-LCD的有效顯示區(qū)(Active Area,AA區(qū))進(jìn)行釋放,從而擊穿距離較近的1個或多個TFT溝道,最終形成不良,如圖1所示,在顯示時出現(xiàn)亮點或者亮線。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明實施例提出了一種陣列基板,包括有效顯示區(qū)和設(shè)置在所述有效顯示區(qū)外側(cè)的第一非顯示區(qū);所述第一非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有虛擬像素單元,所述虛擬像素單元包括第一導(dǎo)電區(qū)和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述有效顯示區(qū)的數(shù)據(jù)線連接,用于將所述數(shù)據(jù)線上的靜電引至所述第一導(dǎo)電區(qū)。
可選地,所述導(dǎo)第一電結(jié)構(gòu)包括TFT器件和引線;
所述引線一端與所述有效顯示區(qū)的數(shù)據(jù)線電性連接,另一端與所述TFT器件連接,當(dāng)所述數(shù)據(jù)線上有靜電傳輸時,所述TFT器件導(dǎo)通,將所述數(shù)據(jù)線上的靜電傳輸至所述第一導(dǎo)電區(qū)。
可選地,所述虛擬像素單元的柵線在所述每個虛擬像素單元間為斷開狀態(tài);所述每個像素單元的TFT器件的柵極與所述柵線電性連接,所述TFT器件的源極與所述數(shù)據(jù)線電性連接,所述TFT器件的漏極與所述第一導(dǎo)電區(qū)連接;所述引線通過所在所述像素單元的柵線與所述TFT器件的柵極連接。
可選地,所述虛擬像素單元的TFT器件的溝道區(qū)寬長比大于所述有效顯示區(qū)的TFT器件的溝道區(qū)寬長比。
可選地,所述第一非顯示區(qū)圍繞所述有效顯示區(qū)設(shè)置,且所述第一非顯示區(qū)內(nèi)所述虛擬像素單元的第一導(dǎo)電區(qū)依次連接形成圍繞所述有效顯示區(qū)的導(dǎo)電帶。
可選地,所述第一非顯示區(qū)有至少兩組,所述至少兩組第一非顯示區(qū)以所述有效顯示區(qū)為中心逐層向外設(shè)置。
可選地,所述第一導(dǎo)電區(qū)的材質(zhì)為透明導(dǎo)電金屬ITO。
可選地,在所述有效顯示區(qū)和所述第一非顯示區(qū)之間還設(shè)置有第二非顯示區(qū);所述第二非顯示區(qū)包括第二導(dǎo)電區(qū)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一電極與所述第二非顯示區(qū)的柵線連接;所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二電極與所述有效顯示區(qū)的數(shù)據(jù)線連接。
為了解決上述問題,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,包括上述陣列基板。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點:
本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板和顯示裝置,在有效顯示區(qū)外側(cè)設(shè)置第一非顯示區(qū),該非顯示區(qū)虛擬像素單元內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電區(qū)和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu),可以將摩擦配向過程中在數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的靜電,通過第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)引至第一導(dǎo)電區(qū),防止靜電向有效顯示區(qū)傳遞,對有效顯示區(qū)的TFT器件造成破壞。
附圖說明
圖1所示為靜電擊穿TFT溝道引起顯示不良現(xiàn)象示意圖。
圖2所示為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板局部示意圖。
圖3所示為本發(fā)明實施例提供的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4所示為本發(fā)明一實施例提供的另一種陣列基板局部示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲取的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實施例一
參照圖2所示,為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板局部示意圖,該陣列基板包括在有效顯示區(qū)1和第一非顯示區(qū)2,第一非顯示區(qū)2設(shè)置在有效顯示區(qū)1的外側(cè);在第一非顯示區(qū)2內(nèi)設(shè)置有虛擬像素單元,虛擬像素單元包括第一導(dǎo)電區(qū)21和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22;第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22一端與有效顯示區(qū)1的數(shù)據(jù)線3連接,另一端與第一導(dǎo)電區(qū)21連接。當(dāng)基板在Rubbing過程中產(chǎn)生的靜電,沿數(shù)據(jù)線3傳遞時,會通過第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22將靜電引至第一導(dǎo)電區(qū)21上,避免了靜電向有效顯示區(qū)2傳遞,對TFT器件造成破壞。
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G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





