[發明專利]一種半導體生產工藝及裝置

在審

• 申請號: 201710343697.6
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107026091A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 黃源煒;曹周;桑林波;李韋曉
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體生產工藝及裝置。

背景技術

半導體(Semiconductor)是指常溫下導電性介于導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。在半導體封裝過程中常采用引線框架作為集成電路的芯片載體，引線框架是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料。目前半導體封裝產品大多要求在引線框架的管腳側面鍍錫，以提高產品在PCB板上的焊接牢固性，對引線框架采用管腳半切方式處理可以達到該要求。現有的半導體封裝中的引線框架的主要工藝流程為：整片引線框架注塑成型-烘烤-管腳半切-電鍍-烘烤-分離成單顆的引線框架。此工藝流程具有以下缺陷：在管腳半切后整片引線框架會產生拱曲變形，從而導致電鍍和分離單顆產品過程中出現設備上下料困難、卡料以及分離模具定位不準等問題，使得產品報廢，且整片引線框架半切后的拱曲變形量與其片寬成正比，即引線框架片寬越寬變形越嚴重。

發明內容

本發明的一個目的在于：提供一種半導體生產工藝，其能有效的消除管腳半切后的內應力，保證電鍍和單顆分離工序能正常進行，提高良品率。

本發明的另一個目的在于：提供一種半導體生產工藝，其適用于大片寬的引線框架制作，提高生產效率。

本發明的又一個目的在于：提供一種半導體生產裝置，其結構簡單，生產出來的單顆引線框架的品質好，生產效率高。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

一方面，提供一種半導體生產工藝，提供整片引線框架，在所述引線框架注塑后先進行管腳半切處理，然后依次進行整形處理、電鍍處理以及單顆分離處理，所述整形處理可消除管腳半切后產生的內應力和拱曲變形。

作為半導體生產工藝的一種優選方案，所述整形處理具體為：在所述引線框架上施加壓力，然后對所述引線框架進行烘烤處理。

作為半導體生產工藝的一種優選方案，所述整形處理包括以下步驟：

步驟S10、將多個所述引線框架層疊后放置在料盒內；

步驟S20、將壓塊放置在最上層的所述引線框架上；

步驟S30、對料盒內的所述引線框架進行烘烤處理。

作為半導體生產工藝的一種優選方案，所述步驟S20中的所述壓塊施加在所述引線框架上的力均勻分布，且力的大小可調。

作為半導體生產工藝的一種優選方案，所述壓塊施加在所述引線框架上的壓力為5kgf～15kgf；或，

所述壓塊的重量為5kg～15kg。

作為半導體生產工藝的一種優選方案，將所述料盒、所述引線框架以及所述壓塊整體移送至烘烤箱內。

作為半導體生產工藝的一種優選方案，所述步驟S30中的烘烤處理具體為：在所述料盒的外壁均勻纏繞一圈加熱電纜或電加熱帶或加熱盤管。

進一步的，所述步驟S30中的烘烤處理具體為：采用熱風機向所述料盒內輸送固定溫度的熱風。

另一方面，提供一種半導體生產裝置，包括：

注塑組件，用于對整片的引線框架進行注塑處理；

管腳半切組件，用于對注塑處理后的所述引線框架進行管腳半切；

整形組件，用于對管腳半切后的所述引線框架進行消除內應力和拱曲變形；

電鍍組件，用于對整形后的所述引線框架進行電鍍處理；

分離組件，用于將電鍍處理后的所述引線框架進行單顆分離處理；

所述注塑組件、所述管腳半切組件、所述整形組件、所述電鍍組件以及所述分離組件順序設置。

作為半導體生產裝置的一種優選方案，所述整形組件包括：

料盒，具有用于存放整片所述引線框架的空間；

壓塊，可選擇性與設置在所述料盒內的所述引線框架抵接；

加熱機構，設置在所述料盒外，用于對所述料盒內的所述引線框架進行烘烤處理。

作為半導體生產裝置的一種優選方案，所述整形組件還包括設置在所述料盒一側的機架，所述機架頂部設置橫梁，所述橫梁上設置壓塊氣缸，所述壓塊氣缸的活塞桿端部連接所述壓塊，可推動所述壓塊沿豎直方向移動，以伸入所述料盒內或移除所述料盒外。

進一步的，所述壓塊遠離所述所述壓塊氣缸的一側設置壓力傳感器，所述壓力傳感器與控制器連接。

進一步的，所述壓塊施加給所述整片引線框架的壓力為2kgf～15kgf。