[發明專利]針對磁流變減振器可記憶磁路結構的磁場雙向調節方法

有效

• 申請號: 201710343548.X
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107143606B
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 駱光照;孫楚昕;趙爾鑫;劉衛國;竇滿峰
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: F16F9/53
• 分類號: F16F9/53;H01F7/02;G05F7/00
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種針對磁流變減振器可記憶磁路結構的磁場雙向調節方法，其特征在于：磁流變減振器可記憶磁路結構為：在活塞(1)內、沿活塞軸設有多個線圈(5)、釹鐵硼永磁體(3)和鋁鎳鈷永磁體(2)組成的結構，在阻尼間隙(4)中充滿磁流變液；磁場雙向調節步驟如下：

1、當鋁鎳鈷永磁體和釹鐵硼永磁體初始磁場方向一致時，阻尼間隙中，磁場初始磁感應強度為B₁+B₂：

情況1：減弱磁場的磁感應強度

對鋁鎳鈷永磁體施加一個瞬時脈沖磁場，其磁場強度方向與鋁鎳鈷永磁體磁化方向相反，其磁場強度大小使鋁鎳鈷永磁體磁感應強度減小ΔB₁₁；

若ΔB₁₁<B₁，則鋁鎳鈷永磁體被去磁；當瞬時脈沖磁場結束作用后，鋁鎳鈷永磁體磁感應強度方向與初始方向相同，磁感應強度減小至B₁-ΔB₁₁且該磁化水平被記憶，釹鐵硼永磁體磁感應強度不被改變仍為B₂，則阻尼間隙中磁感應強度減弱為B₂+(B₁-ΔB₁₁)；

若ΔB₁₁>B₁，則鋁鎳鈷永磁體被反向充磁磁化；當瞬時脈沖磁場結束作用后，鋁鎳鈷永磁體磁感應強度方向與初始時相反，磁感應強度大小變為ΔB₁₁-B₁且該磁化水平被記憶；釹鐵硼永磁體磁感應強度不被改變仍為B₂，鋁鎳鈷永磁體在活塞內部與釹鐵硼永磁體形成閉合磁力線，此時阻尼間隙中磁感應強度減弱為B₂-(ΔB₁₁-B₁)；

情況2：增強磁場的磁感應強度

對鋁鎳鈷永磁體施加一個瞬時脈沖磁場，其磁場強度方向與鋁鎳鈷永磁體磁化方向一致，其磁場強度大小使鋁鎳鈷永磁體磁感應強度增大ΔB₁₂；當瞬時脈沖磁場結束作用后，鋁鎳鈷永磁體磁感應強度增大至B₁+ΔB₁₂且該磁化水平被記憶；釹鐵硼永磁體磁感應強度不被改變仍為B₂，則此時阻尼間隙中磁感應強度增強為B₂+(B₁+ΔB₁₂)；

2、鋁鎳鈷永磁體和釹鐵硼永磁體初始磁場方向相反

在兩永磁體之間形成閉合磁場回路，阻尼間隙的初始磁感應強度為兩個永磁體初始磁感應強度的矢量疊加，為B₂-B₁；

情況1：減弱磁場的磁感應強度

對鋁鎳鈷永磁體施加一個瞬時脈沖磁場，其磁場強度方向與鋁鎳鈷永磁體磁化方向一致，其磁場強度大小可使鋁鎳鈷永磁體的磁感應強度增強ΔB₂₁；當瞬時脈沖磁場結束作用后，鋁鎳鈷永磁體磁感應強度增強至B₁+ΔB₂₁且該磁化水平被記憶，鋁鎳鈷永磁體保持在磁化狀態；

若B₁+ΔB₂₁≥B₂，鋁鎳鈷永磁體完全抵消釹鐵硼永磁體在阻尼間隙的磁感應強度，此時阻尼間隙中磁感應強度大小為B₁+ΔB₂₁-B₂，阻尼間隙磁感應強度絕對值為最低為零；

若B₁+ΔB₂₁<B₂，鋁鎳鈷永磁體與釹鐵硼永磁體在活塞內部形成的閉合磁場增強，因此阻尼間隙磁感應強度大小減弱為B₂-(B₁+ΔB₂₁)；

情況2：增強磁場的磁感應強度

對鋁鎳鈷永磁體施加一個瞬時脈沖磁場，其磁場強度方向與鋁鎳鈷永磁體磁化方向相反，其磁場強度大小可使鋁鎳鈷永磁體被去磁或反向充磁，使其磁感應強度減少ΔB₂₂；

若ΔB₂₂<B₁，則當瞬時脈沖磁場結束作用后，鋁鎳鈷永磁體被去磁，鋁鎳鈷永磁體與釹鐵硼永磁體形成的閉合磁感應強度減弱ΔB₂₂，即釹鐵硼永磁體在阻尼間隙產生的磁感應強度增大ΔB₂₂，則此時阻尼間隙中合成磁感應強度增大為B₂-(B₁-ΔB₂₂)；

若ΔB₂₂>B₁，則當瞬時脈沖磁場結束作用后，鋁鎳鈷永磁體被反向充磁磁化，磁感應強度與初始狀態方向相反，大小為ΔB₂₂-B₁，由于鋁鎳鈷永磁體不再與釹鐵硼永磁體形成閉合磁場，阻尼間隙中兩種永磁體的合成磁感應強度為B₂+(ΔB₂₂-B₁)。