[發(fā)明專利]包括導(dǎo)電凸塊互連的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710343078.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN108878398B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)俊榮;狄曉峰;陳治強(qiáng);莫金理;吳明霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/525
• 分類號(hào): H01L23/525
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

多個(gè)半導(dǎo)體裸片，所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片中的每個(gè)半導(dǎo)體裸片包括多個(gè)裸片鍵合焊盤，所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片形成以階梯式偏移模式相對(duì)于彼此堆疊的半導(dǎo)體裸片的裸片堆疊，所述階梯式偏移模式暴露每個(gè)半導(dǎo)體裸片中的所述多個(gè)裸片鍵合焊盤；以及

多個(gè)導(dǎo)電凸塊，所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊由其自身電互連所述裸片堆疊的不同層級(jí)上的半導(dǎo)體裸片的所述裸片鍵合焊盤；

其中，所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊包括：一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊，所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊在所述多個(gè)裸片鍵合焊盤的第一裸片鍵合焊盤上；以及偏移互連導(dǎo)電凸塊，所述偏移互連導(dǎo)電凸塊形成在所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊的頂部上并且相對(duì)于所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊偏移。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述偏移互連導(dǎo)電凸塊部分地形成在所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊的頂部上并且部分地形成在與所述裸片堆疊中的所述第一裸片鍵合焊盤豎直對(duì)準(zhǔn)的第二裸片鍵合焊盤上。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊包括單個(gè)基底導(dǎo)電凸塊。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述單個(gè)基底導(dǎo)電凸塊的高度至少大致等于所述半導(dǎo)體裸片的裸片堆疊中的半導(dǎo)體裸片的高度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊包括堆疊成豎直柱的多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊的累積高度至少大致等于所述半導(dǎo)體裸片的裸片堆疊中的半導(dǎo)體裸片的高度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片是閃存半導(dǎo)體裸片。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

多個(gè)半導(dǎo)體裸片，所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片中的每個(gè)半導(dǎo)體裸片包括：

第一表面，

第二表面，所述第二表面與所述第一表面相反，以及

多個(gè)裸片鍵合焊盤，所述多個(gè)裸片鍵合焊盤在所述半導(dǎo)體裸片的所述第一表面上；

所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片以階梯式偏移模式相對(duì)于彼此堆疊以便形成裸片堆疊，第一半導(dǎo)體裸片的所述第一表面安裝至所述堆疊的相鄰層級(jí)中的第二半導(dǎo)體裸片的所述第二表面，所述階梯式偏移模式暴露每個(gè)半導(dǎo)體裸片中的所述多個(gè)裸片鍵合焊盤；

多個(gè)導(dǎo)電凸塊，所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊上下疊置并且物理地電互連所述裸片堆疊中的所述第一和第二半導(dǎo)體裸片的所述裸片鍵合焊盤；

其中，所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊包括一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊以及偏移互連導(dǎo)電凸塊，所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊包括物理地固定至所述第一半導(dǎo)體裸片的裸片鍵合焊盤上的第一基底導(dǎo)電凸塊，所述偏移互連導(dǎo)電凸塊具有物理地固定至基底導(dǎo)電凸塊的第一部分以及物理地固定至所述第二半導(dǎo)體裸片的裸片鍵合焊盤上的第二部分。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊包括在所述第一半導(dǎo)體裸片的裸片鍵合焊盤上堆疊的第一和第二導(dǎo)電凸塊，所述第一和第二導(dǎo)電凸塊相對(duì)于彼此偏移堆疊。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊包括在所述第一半導(dǎo)體裸片的所述裸片鍵合焊盤上堆疊成豎直柱的多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)基底導(dǎo)電凸塊的累積高度至少大致等于所述第二半導(dǎo)體裸片的高度。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體裸片的所述高度包括所述半導(dǎo)體裸片的厚度加上所述第二半導(dǎo)體裸片的所述第二表面上的一層裸片附接膜。